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論文

Characterization of LiNbO$$_3$$ single-crystal substrates irradiated with electrons

宮崎 尚*; 守本 純*; 戸田 耕司*; 小野田 忍; 大島 武

Japanese Journal of Applied Physics, 50(7), p.07HB07_1 - 07HB07_4, 2011/07

 被引用回数:1 パーセンタイル:5.16(Physics, Applied)

Electron irradiation effects on lithium niobate (LiNbO$$_3$$) single crystals have been investigated by photoacoustic spectroscopy (PAS), Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), and Raman scattering spectroscopy. As a result of PAS and FT-IR, it was found that the oxygen vacancies are generated in LiNbO$$_3$$ by electron irradiation. The Raman signal intensity observed from as-sliced surface decreases with increasing electron fluence, although the signal intensity observed from mirror-polished surface is not changed. The differences in these results are related to surface composition. Therefore the control of the composition is the most important to avoid the effects of electron irradiation to LiNbO$$_3$$.

論文

Raman and FT-IR spectroscopy of electron irradiated LiNbO$$_3$$

宮崎 尚*; 守本 純*; 戸田 耕司*; 小野田 忍; 大島 武

Proceedings of 9th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA-9), p.226 - 229, 2010/10

LiNO$$_3$$ has several advantages for opto-electronic and acousto-optic applications including waveguides, modulators, second harmonic generators and surface acoustic wave (SAW) devices. In this study, we characterized the defects in electron irradiated LiNbO$$_3$$ single crystal substrates using Raman. The Raman peak of symmetrical O-Nb-O bending mode drastically decreased with increasing electron irradiation. It is thought that the electron irradiation gives the biggest influence on the Nb-O bond.

口頭

電子線照射した半絶縁性6H-SiC単結晶基板の評価

宮崎 尚*; 守本 純*; 小野田 忍; 大島 武

no journal, , 

6H-SiC(Silicon Carbide)に1$$times$$10$$^{16}$$及び5$$times$$10$$^{17}$$/cm$$^2$$のフルエンスの1MeVの電子線を照射し、透過型フーリエ変換型赤外分光(FT-IR)を用いた評価を行った。FT-IR測定の結果、照射前の試料では、2850cm$$^{-1}$$, 2300cm$$^{-1}$$及び2100cm$$^{-1}$$付近にピークが観察された。また、波数が2000cm$$^{-1}$$以下になると急激に透過しなくなることも明らかとなった。さらに、1450cm$$^{-1}$$付近に鋭いピークが観測された。未照射の試料と比較して、照射した試料の分光透過率は、減少する傾向も併せて観測され、特に、2500cm$$^{-1}$$を超える領域では、波数が大きくなるほど顕著に透過率が減少することがわかった。また、照射前に2850cm$$^{-1}$$あたりに検出されるC-H結合は、電子線照射後に減少したが、このことは、電子線照射によって、ダングリングボンドが増加した可能性を示唆している。

口頭

電子線照射した6H-SiC単結晶の光音響分光

若林 啓美*; 宮崎 尚*; 岡本 庸一*; 守本 純*; 小野田 忍; 大島 武

no journal, , 

単結晶6H-SiCに電子線を照射し、生成された欠陥等を光音響分光法(PAS)により評価した。360nmから410nmと480nm以上でブロードなピークが確認された。さらに5$$times$$10$$^{17}$$/cm$$^2$$の試料には620nmから660nmに大きなピークが確認された。同様の実験をLiNbO$$_3$$に行っているが、SiCのほうが電子線を照射したことによる変化は小さいことがわかった。PAS測定の結果から、6H-SiCのほうがLiNbO$$_3$$よりもはるかに放射線に対し耐性があることが示された。

口頭

電子線照射した半絶縁性6H-SiC単結晶の光音響分光法による評価

若林 啓美*; 宮崎 尚*; 岡本 庸一*; 守本 純*; 小野田 忍; 大島 武

no journal, , 

電子線照射した炭化ケイ素(SiC: Silicon Carbide)中の照射欠陥を光音響分光法(PAS:Photoacoustic Spectroscopy)にて測定した。PASは、通常行われるフォトルミネッセンス法による測定と異なり、非発光の欠陥を評価することができる。電子線照射した後、PASにより欠陥を評価したところ、シリコン(Si)空孔もしくはSi関連欠陥と考えられるピークを検出することができた。以上のように、通常の発光を用いた評価方法では検出することのできなかった電子線誘起欠陥をPAS法により検出することができた。

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