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電子線照射した半絶縁性6H-SiC単結晶の光音響分光法による評価

Photoacoustic characterization of semi-insulating 6H-SiC single crystal irradiated by electron

若林 啓美*; 宮崎 尚*; 岡本 庸一*; 守本 純*; 小野田 忍; 大島 武

Wakabayashi, Hiromi*; Miyazaki, Hisashi*; Okamoto, Yoichi*; Morimoto, Jun*; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

電子線照射した炭化ケイ素(SiC: Silicon Carbide)中の照射欠陥を光音響分光法(PAS:Photoacoustic Spectroscopy)にて測定した。PASは、通常行われるフォトルミネッセンス法による測定と異なり、非発光の欠陥を評価することができる。電子線照射した後、PASにより欠陥を評価したところ、シリコン(Si)空孔もしくはSi関連欠陥と考えられるピークを検出することができた。以上のように、通常の発光を用いた評価方法では検出することのできなかった電子線誘起欠陥をPAS法により検出することができた。

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