Spectroscopic characterization of -FeSi single crystals and homoepitaxial -FeSi films by XPS and XAS
放射光X線光電子分光法及びX線吸収分光法による-FeSi単結晶上にホモエピタキシャル成長させた-FeSi薄膜の評価
江坂 文孝 ; 山本 博之; 鵜殿 治彦*; 松林 信行*; 山口 憲司; 社本 真一 ; 間柄 正明 ; 木村 貴海
Esaka, Fumitaka; Yamamoto, Hiroyuki; Udono, Haruhiko*; Matsubayashi, Nobuyuki*; Yamaguchi, Kenji; Shamoto, Shinichi; Magara, Masaaki; Kimura, Takaumi
エネルギー可変の放射光を励起源として光電子スペクトルを観測した場合、光電子の運動エネルギーの変化に応じて電子の脱出深さが変化することから、表面の深さ方向分布を非破壊的に得ることが可能となる。本研究では放射光を用いたX線光電子分光法と、これよりも分析領域の深いX線吸収分光法(XAS)を用い、-FeSi単結晶上にホモエピタキシャル成長させた-FeSi薄膜表面組成及び化学状態について、非破壊深さ方向分析を行った。得られたXPSスペクトルから、励起エネルギーの増大とともにSiO及びSiOに起因するピーク強度が減少し、相対的にシリサイドによるピーク強度が増大することを明らかにした。これらの結果をもとに深さプロファイルを評価し、単結晶表面にはそれぞれSiO層0.8nm及びSiO層0.2nmが形成されていること、Fe/Si組成比は深さ方向にほとんど変化しないことが確認された。発表ではXASによるFe-L及びSi-K吸収端測定から、より深い表面領域の結果について解析を行った結果についても併せて報告する。
Chemical state analysis by a combination of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and X-ray absorption spectroscopy (XAS) using synchrotron radiation is performed for -FeSi single crystals and homoepitaxial -FeSi films. The Si 2p XPS and Fe L-edge XAS spectra imply that the annealing at 1173 K to remove native oxide layers on the crystal induces the formation of FeSi in the surface. The formation of FeSi is also confirmed by Si K-edge XAS analysis. For the homoepitaxial -FeSi films grown on the crystals, the Si K-edge XAS spectra indicate that structurally homogeneous -FeSi films can be grown on the -FeSi single crystals when the substrate temperatures of 973 and 1073 K are applied for molecular beam epitaxy (MBE). Consequently, it is indicated that the combination of XPS and XAS using synchrotron radiation is a useful tool to clarify chemical states nondestructively.