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放射光光電子分光によるSiO$$_{2}$$中の実測有効減衰長と非弾性平均自由行程計算値の比較

Comparison of measured effective attenuation length in SiO$$_{2}$$ by SR-XPS with calculated inelastic mean free path

井上 敬介*; 神農 宗徹; 寺岡 有殿

Inoue, Keisuke*; Jinno, Muneaki; Teraoka, Yuden

本研究ではSiO$$_{2}$$中の光電子の実測有効減衰長と非弾性平均自由行程計算値の比較を行った。試料としてSiO$$_{2}$$極薄膜付きのSi(001)基板を使用した。放射光のエネルギーを400$$sim$$1700eVとし、Si 2pの光電子スペクトルを測定して、有効減衰長のエネルギー依存性を調べた。有効減衰長にはSiO$$_{2}$$膜厚依存性はなく、SiO$$_{2}$$膜の膜質は一定であった。サブオキサイド(Si$$^{+}$$, Si$$^{2+}$$, Si$$^{3+}$$)をバルク(Si基板)側に含めるか、無視するか、SiO$$_{2}$$膜に含めるかにより有効減衰長に差が生じた。サブオキサイドをバルク側に含めるときTPP-2MというIMFPの計算値と最も近い値となった。

In this work we compared calculated inelastic mean free path and measured effective attenuation length of photoelectron in SiO$$_{2}$$ by SR-XPS. Si(001) substrates with SiO$$_{2}$$ ultra-thin film were used as samples. In the synchrotron radiation energy from 400 eV to 1700 eV, Si 2P spectra was measured and energy dependence on effective attenuation length was investigated. Effective attenuation length does not depend on SiO$$_{2}$$ film thickness so that the film quality was constant. Effective attenuation length varied depending on dealing of suboxides (Si$$^{+}$$, Si$$^{2+}$$, Si$$^{3+}$$) in bulk(Si substrate), SiO$$_{2}$$ film or neglect. When suboxides are included in bulk, effective attenuation length is closest to TPP-2M calculation of inelastic mean free path.

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

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巻

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号

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ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

第6回励起ナノプロセス研究会

開催年月

 :

2010/11

開催都市

 :

堺

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

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(成果普及情報誌)

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受委託・共同研究相手機関

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