先端トランジスタにおけるシングルイベント過渡電流の測定

Single event transient currents measurement on advanced transistors

牧野 高紘; 小野田 忍; 平尾 敏雄; 大島 武; 小林 大輔*; 池田 博一*; 廣瀬 和之*

Makino, Takahiro; Onoda, Shinobu; Hirao, Toshio; Oshima, Takeshi; Kobayashi, Daisuke*; Ikeda, Hirokazu*; Hirose, Kazuyuki*

放射線が大規模集積回路(LSI)内の論理素子に入射することで、LSI内に現れる過渡的な電圧パルスをDSETパルスと呼び、宇宙で用いられるLSIにおいて、大きな問題となってきており対策が急がれている。論理素子は複数個のトランジスタで構成されており、論理素子全体におけるパルス発生確率は各トランジスタにおけるそれの和と考えられる。トランジスタごとの寄与がどれくらいかを知ることによってトランジスタレベルでの耐放射線性対策が可能となるが、これまでの測定手法では、取得したDSETパルスがどのトランジスタによるものか区別できないという問題があった。そこで、本研究では、トランジスタごとの効果に関する知見を得るために、NOT素子を構成するトランジスタのコピーを一つ用意し、そこに放射線を照射することで発生するシングルイベント過渡電流からDSETパルスを見積り、それを過去に測定したNOT素子全体でのDSETパルスと比較することで、個々のトランジスタの寄与を明らかにすることに成功した。

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