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シリコン回転装置の設計,製作及び輸送

Design, fabrication and transportation of Si rotating device

木村 伸明; 今泉 友見; 竹本 紀之; 谷本 政隆; 斎藤 隆; 堀 直彦; 土谷 邦彦; Romanova, N. K.*; Gizatulin, S.*; Martyushov, A.*; Nakipov, D.*; Chakrov, P.*; 田中 太*; 中島 雄志*

Kimura, Nobuaki; Imaizumi, Tomomi; Takemoto, Noriyuki; Tanimoto, Masataka; Saito, Takashi; Hori, Naohiko; Tsuchiya, Kunihiko; Romanova, N. K.*; Gizatulin, S.*; Martyushov, A.*; Nakipov, D.*; Chakrov, P.*; Tanaka, Futoshi*; Nakajima, Takeshi*

原子力機構照射試験炉センターでは、産業利用拡大の観点から材料試験炉(Japan Materials Testing Reactor: JMTR)を活用した中性子核変換ドーピング(Neutron Transmutation Doping: NTD)法によるシリコン半導体製造を検討している。この検討の一環として、カザフスタン共和国国立原子力センター(NNC-RK)と原子力機構との原子力科学分野における研究開発協力のための実施取決め(試験研究炉に関する原子力技術)における特定協力課題のうち、シリコン半導体製造に関する技術(STC No.II-4)のもとで、NNC-RKの核物理研究所(INP)にあるWWR-K炉を用いて、高品位シリコン半導体製造のためのシリコン試料の照射試験を行う。本照射試験の実施に先立ち、シリコン試料の照射試験に必要となるシリコン回転装置を原子力機構で製作し、照射試料とともにINP-NNC-RKに輸送した。本報告書は、シリコン回転装置の設計、製作、性能試験及び輸送手続きについてまとめたものである。

Si semiconductor production by Neutron Transmutation Doping (NTD) method using the Japan Materials Testing Reactor (JMTR) has been investigated in Neutron Irradiation and Testing Reactor Center, Japan Atomic Energy Agency (JAEA) in order to expand industry use. As a part of investigations, irradiation test of silicon ingot for development of NTD-Si with high quality was planned using WWR-K in Institute of Nuclear Physics (INP), National Nuclear Center of Republic of Kazakhstan (NNC-RK) based on one of specific topics of cooperation (STC), Irradiation Technology for NTD-Si (STC No.II-4), on the implementing arrangement between NNC-RK and the JAEA for "Nuclear Technology on Testing/Research Reactors" in cooperation in research and development in nuclear energy and technology. As for the irradiation test, Si rotating device was fabricated in JAEA, and the fabricated device was transported with irradiation specimens from JAEA to INP-NNC-RK. This report described the design, the fabrication, the performance test of the Si rotating device and transportation procedures.

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