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Andreev bound-states in topological superconductors

トポロジカル超伝導体におけるアンドレーエフ束縛状態

永井 佑紀   ; 中村 博樹  ; 町田 昌彦  

Nagai, Yuki; Nakamura, Hiroki; Machida, Masahiko

トポロジカル絶縁体と呼ばれる材料の結晶端のみで電流を運ぶ熱電変換効率の高いと予想される物質群が、原子力分野をはじめとして、さまざまな産業への応用も期待され盛んに研究されている。その一方、トポロジカル絶縁体Bi$$_{2}$$Se$$_{3}$$にCuを導入して作製された超伝導体CuxBi$$_{2}$$Se$$_{3}$$は、結晶端のみで電流を流すという特異な物性を持ち超伝導となるため、新しいデバイスとして期待されており、その物性の詳細を明らかにすることが求められている。本発表では、このトポロジカル超伝導体CuxBi$$_{2}$$Se$$_{3}$$の磁場下での振る舞いについて研究した成果を発表する。具体的には、磁場下の界面での電子状態をスーパーコンピュータBX900を用いた大規模並列直交多項式展開法によって求め、磁場中の磁束が磁化されることと界面近傍ではその磁化が反転することを示す。また、このような磁化フリップは、磁束によるスピン制御の可能性を示唆している。

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