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Si高指数面熱酸化過程における温度依存性の解析,2

Analysis of temperature dependence in thermal oxidation process on high-index Si surfaces, 2

安部 壮祐*; 大野 真也*; 兼村 瑠威*; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 尾形 祥一*; 安田 哲二*; 田中 正俊*

Abe, Sosuke*; Ono, Shinya*; Kanemura, Rui*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Ogata, Shoichi*; Yasuda, Tetsuji*; Tanaka, Masatoshi*

3次元構造を持つSiナノワイヤトランジスタの研究が活発に行われている。新たに提案されているMOSFET構造にはさまざまな面方位のSiO$$_{2}$$/Si界面が存在する。このため、ナノスケールでのSi高指数面上の酸化膜の組成や構造の理解が必要である。本研究ではSi(001), Si(113), Si(120), Si(331)の面方位基板を用い、酸化温度342-923K、酸化圧力1$$times$$10$$^{-5}$$Paの条件で熱酸化を行った。リアルタイム光電子分光によって得たSi2pの各酸化数成分の時間変化から、いずれの温度においても熱酸化とともにSi$$^{4+}$$の成分が最も大きくなり、Si$$^{1+}$$, Si$$^{2+}$$の強度は相対的に低くなることがわかった。823KではSi$$^{4+}$$成分が支配的であり、組成がSiO$$_{2}$$に近い良質な酸化膜が形成される。

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