/Si界面構造と電子状態/Si in oxidation processes of Si high index surfaces安部 壮祐*; 大野 真也*; 兼村 瑠威*; 吉越 章隆 
; 寺岡 有殿; 尾形 祥一*; 安田 哲二*; 田中 正俊*
Abe, Sosuke*; Ono, Shinya*; Kanemura, Rui*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Ogata, Shoichi*; Yasuda, Tetsuji*; Tanaka, Masatoshi*
平面型のSiトランジスタではリーク電流の制御が困難になるなど、デバイスの微細化は限界を迎えつつある。その限界を打破するため、三次元構造を持つSiナノワイヤトランジスタ等のMOSFET構造が提案されている。これらには、さまざまな面方位のSiO/Si界面が存在する。このため、Si高指数面で形成される酸化膜の組成や構造のナノスケールでの理解が重要となる。試料にはSi(001), Si(113), Si(120), Si(331)の4つの面方位の基板を用い、酸化温度342-923K、酸化圧力1
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Paの条件で熱酸化を行った。(120)面で温度上昇による酸化膜厚の変化量が最大となり、次いで(113), (001), (331)面の順に変化量は減少した。Si(120)面ではこれまで知られていない新しい種類の成長モードの変化が起こっている可能性がある。
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: | Japanese |
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: | 2012/11 |
開催都市 |
: | 神戸 |
開催国 |
: | 日本 |
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: | no keyword |
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