ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの規則配列作製,2

Fabrication of the ordered array of optical centers in diamond by low energy ion implantation, 2

田村 崇人*; 小松原 彰*; 寺地 徳之*; 小野田 忍; 大島 武; Christoph, M.*; Naydenov, B.*; McGuinness, L.*; Jelezko, F.*; 品田 賢宏*; 磯谷 順一*; 谷井 孝至*

Tamura, Shuto*; Komatsubara, Akira*; Teraji, Tokuyuki*; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi; Christoph, M.*; Naydenov, B.*; McGuinness, L.*; Jelezko, F.*; Shinada, Takahiro*; Isoya, Junichi*; Tanii, Takashi*

量子情報通信において有望な系の一つに挙げられるダイヤモンド中のSiVセンター(シリコンと原子空孔からなる発光センタ)の作製に関する研究を行った。早稲田大学が開発した数十keV級低エネルギー単一イオン注入技術を用いて、狙った位置にSiイオンを1個ずつ注入するとともに、その位置に同時に形成される空孔欠陥を再結合させることで、SiVセンターを作製した。作製したSiVセンターの共焦点顕微鏡像を観察したところ、狙い通り500nm間隔でSiVセンターの規則配列が形成されていることがわかった。さらに、注入イオン数に対する発光センターの生成数を調べた結果、1スポットあたりの注入イオン数が100個の領域においてSiVセンターからの発光が確認され、SiVセンターの生成収率が1%以上であることが明らかとなった。

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