JAEA
  • help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
検索結果：　10 件中 1件目～10件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

Resonant angle-resolved photoelectron spectroscopy of substitutional solid solutions of CeRu$$_2$$Si$$_2$$

岡根 哲夫; 川崎 郁斗; 保井 晃; 大河内 拓雄*; 竹田 幸治; 藤森 伸一; 斎藤 祐児; 山上 浩志; 藤森 淳; 松本 裕司*; et al.

Journal of the Physical Society of Japan, 80(Suppl.A), p.SA060_1 - SA060_3, 2011/07

https://doi.org/10.1143/JPSJS.80SA.SA060
 被引用回数：1 パーセンタイル：11.08(Physics, Multidisciplinary)

Angle-resolved photoelectron spectroscopy was measured in the Ce 3$$d$$$$rightarrow$$4$$f$$ resonance energy region for the paramagnetic state of CeRu$$_2$$Si$$_2$$, Ce$$_{0.84}$$La$$_{0.16}$$Ru$$_2$$Si$$_2$$ and LaRu$$_2$$Si$$_2$$ to investigate a variation of band structures around the quantum critical point (QCP). While the results clearly demonstrate the difference of the band structures between CeRu$$_2$$Si$$_2$$ and LaRu$$_2$$Si$$_2$$, the observed band structures of CeRu$$_2$$Si$$_2$$ and Ce$$_{0.84}$$La$$_{0.16}$$Ru$$_2$$Si$$_2$$ resemble each other. The results indicate that the Ce $$4f$$ electrons in the paramagnetic state have an itinerant character in either side of the critical composition, and Ce$$_{1-x}$$La$$_{x}$$Ru$$_2$$Si$$_2$$ near QCP is similar to CeRu$$_2$$(Si$$_{1-x}$$Ge$$_{x}$$)$$_2$$.

論文

Spins and parities of astrophysically important $$^{30}$$S states from $$^{28}$$Si($$^{3}$$He, $$n$$$$gamma$$)$$^{30}$$S

Setoodehnia, K.*; Chen, A. A.*; 小松原 哲郎*; 久保野 茂*; Binh, D. N.*; Carpino, J. F.*; Chen, J.*; 橋本 尚志*; 早川 岳人; 石橋 陽子*; et al.

Physical Review C, 83(1), p.018803_1 - 018803_4, 2011/01

https://doi.org/10.1103/PhysRevC.83.018803
 被引用回数：13 パーセンタイル：62.13(Physics, Nuclear)

$$^{30}$$Sの陽子が非束縛な状態は、古典的な新星爆発やI型X線バーストにおける水素爆発の温度での$$^{29}$$P($$p$$, $$gamma$$)$$^{30}$$S熱核反応率を強く影響する。特に、スピンとパリティが3$$^{+}$$と2$$^{+}$$の同定されている4.7から4.8MeVの励起エネルギーに存在する未観測の2つの状態が反応率に強く影響すると予言されている。最近の実験では、2つの候補の状態が4.699MeVと4.814MeVに観測されたが、実験的にはスピンとパリティの情報が得られていない。われわれは$$^{28}$$Si($$^{3}$$He, $$n$$$$gamma$$)$$^{30}$$S反応を用いて、$$^{30}$$Sのインビーム$$gamma$$線核分光を行った。スピンとパリティはよく知られているミラー核の状態との比較から同定した。

論文

Band structures of CeRu$$_2$$(Si$$_{1-x}$$Ge$$_{x}$$)$$_2$$ studied by resonant soft X-ray ARPES

岡根 哲夫; 大河内 拓雄*; 竹田 幸治; 藤森 伸一; 保井 晃; 斎藤 祐児; 山上 浩志; 藤森 淳; 松本 裕司*; 杉 基紀*; et al.

Physica Status Solidi (B), 247(3), p.397 - 399, 2010/03

Angle-resolved photoelectron spectroscopy measurements were made in the Ce $$3d$$$$rightarrow$$4$$f$$ resonance energy region for the paramagnetic state of CeRu$$_2$$Si$$_2$$, CeRu$$_2$$(Si$$_{0.82}$$Ge$$_{0.18}$$)$$_2$$ and LaRu$$_2$$Si$$_2$$ to investigate a variation of band structures around the quantum critical point. The results indicate that the Ce $$4f$$ electrons in the paramagnetic state have an itinerant character and participate in the formation of energy bands both in CeRu$$_2$$Si$$_2$$ and CeRu$$_2$$(Si$$_{0.82}$$Ge$$_{0.18}$$)$$_2$$, and the change of the band structures in the paramagnetic states should be continuous around the quantum critical point of the CeRu$$_2$$(Si$$_{1-x}$$Ge$$_{x}$$)$$_2$$ system.

論文

4$$f$$-derived Fermi surfaces of CeRu$$_2$$(Si$$_{1-x}$$Ge$$_{x}$$)$$_2$$ near the quantum critical point; Resonant soft-X-ray ARPES study

岡根 哲夫; 大河内 拓雄*; 竹田 幸治; 藤森 伸一; 保井 晃; 斎藤 祐児; 山上 浩志; 藤森 淳; 松本 裕司*; 杉 基紀*; et al.

Physical Review Letters, 102(21), p.216401_1 - 216401_4, 2009/05

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.102.216401
 被引用回数：28 パーセンタイル：76.59(Physics, Multidisciplinary)

Angle-resolved photoelectron spectroscopy in the Ce $$3d$$$$rightarrow$$4$$f$$ excitation region was measured for the paramagnetic state of CeRu$$_2$$Si$$_2$$, CeRu$$_2$$(Si$$_{0.82}$$Ge$$_{0.18}$$)$$_2$$, and LaRu$$_2$$Si$$_2$$ to investigate the changes of the 4$$f$$ electron Fermi surfaces around the quantum critical point. While the difference of the Fermi surfaces between CeRu$$_2$$Si$$_2$$ and LaRu$$_2$$Si$$_2$$ was experimentally confirmed, a strong 4$$f$$-electron character was observed in the band structures and the Fermi surfaces of CeRu$$_2$$Si$$_2$$ and CeRu$$_2$$(Si$$_{0.82}$$Ge$$_{0.18}$$)$$_2$$, consequently indicating a delocalized nature of the 4$$f$$ electrons in both compounds. The absence of Fermi surface reconstruction across the critical composition suggests that SDW quantum criticality is more appropriate than local quantum criticality in CeRu$$_2$$(Si$$_{1-x}$$Ge$$_{x}$$)$$_2$$.

口頭

共鳴角度分解光電子分光によるCeRu$$_2$$Si$$_2$$希釈系化合物のフェルミ面の研究

岡根 哲夫; 大河内 拓雄*; 保井 晃; 川崎 郁斗; 藤森 伸一; 竹田 幸治; 斎藤 祐児; 山上 浩志; 藤森 淳; 松本 裕司*; et al.

no journal, , 

本研究では、臨界組成をまたいだフェルミ面の変化を検証することを目的として、CeRu$$_2$$(Si$$_{1-x}$$Ge$$_x$$)2化合物に対してCe 3d-4f共鳴エネルギー領域での角度分解光電子分光実験を行った。実験の結果、CeRu$$_2$$Si$$_2$$とLaRu$$_2$$Si$$_2$$の間のフェルミ面形状の違いを明瞭に観測した一方で、(Si,Ge)置換系では臨界組成を越えてもフェルミ面形状に劇的な変化は現れないことを明らかにした。さらに最近、(Ce,La)置換系についても同様に臨界組成をまたいだ形での比較を行うために角度分解光電子分光実験をCe$$_0.84$$La$$_0.16$$Ru$$_2$$Si$$_2$$化合物に対して行い、(Si,Ge)置換系と同様に臨界組成を越えてもフェルミ面形状に劇的な変化は現れないことを明らかにした。

口頭

CeRu$$_2$$(Si$$_{1-x}$$Ge$$_x$$)$$_2$$の軟X線角度分解光電子分光

岡根 哲夫; 大河内 拓雄; 藤森 伸一; 竹田 幸治; 保井 晃; 斎藤 祐児; 山上 浩志; 藤森 淳; 松本 裕司*; 木村 憲彰*; et al.

no journal, , 

CeRu$$_2$$Si$$_2$$は代表的な重い電子系化合物であり、非磁性基底状態を持つ。この化合物のSiサイトをGeで置換した化合物やCeサイトをLaで置換した化合物では基底状態で反強磁性秩序が発現する。この時のフェルミ面形状変化を明らかにすることは、量子臨界点近傍での4f電子の性質を理解するうえで重要な課題となっている。本研究では、特に4f電子の寄与の強いバンドが作るフェルミ面形状の変化を明らかにすることを目的として、非磁性基底状態を持つCeRu$$_2$$Si$$_2$$と反強磁性基底状態を持つCeRu$$_2$$(Si$$_{0.82}$$Ge$$_{0.18}$$)$$_2$$に対してCe $$3drightarrow4f$$共鳴エネルギー領域での角度分解光電子分光実験を行った。また、LaRu$$_2$$Si$$_2$$についても測定を行った。実験の結果、共鳴ARPESによって$$4f$$電子の寄与の大きいフェルミ面を選択的に観測することに成功した。CeRu$$_2$$Si$$_2$$とLaRu$$_2$$Si$$_2$$ではフェルミ面形状が異なる一方で、量子臨界点を挟んだ二つのCe化合物の間ではバンド構造,フェルミ面とも類似しており、磁性基底状態を持つ組成においてもフェルミ面がLa的になっているとは言えないことを明らかにした。

口頭

Fabrication of silicon-vacancy center array in diamond by low-energy single-ion implantation

田村 崇人*; 小松原 彰*; 寺地 徳之*; 小野田 忍; McGuinness, L.*; Jelezko, F.*; Rogers, L.*; 大島 武; 磯谷 順一*; 品田 賢宏*; et al.

no journal, , 

化学気相成長(CVD)法によって作製した高品質ダイヤモンドに、60keVのシリコン(Si)イオンを500nm間隔の格子状に注入し、水素10%のホーミングガス中で1000$$^{circ}$$Cで30分の熱処理を行った。共焦点顕微鏡でシリコン-空孔複合欠陥(SiV)を観察した結果、500nm間隔でSiVが形成できていることが分かった。各格子点に注入するSiイオンの数を変えていくことで生成率を評価した結果、少なくとも数%の生成率となることが明らかとなった。また、試料表面を水素もしくは酸素で終端することで、表面起因の発光を抑える効果があることが明らかとなり、共焦点顕微鏡像を得る際のノイズレベルを下げることに成功した。

口頭

CeRu$$_2$$(Si$$_{1-x}$$Ge$$_x$$)$$_2$$並びにCe$$_{1-x}$$La$$_x$$Ru$$_2$$Si$$_2$$の共鳴角度分解光電子分光

岡根 哲夫; 大河内 拓雄*; 保井 晃; 川崎 郁斗; 藤森 伸一; 竹田 幸治; 斎藤 祐児; 山上 浩志; 藤森 淳; 松本 裕司*; et al.

no journal, , 

CeRu$$_2$$Si$$_2$$は常磁性基底状態を持つ代表的な重い電子系化合物であり、低温域ではCeの4f電子は遍歴であると考えられている。この化合物のSiサイトをGeで置換する、あるいはCeサイトをLaで置換すると基底状態で反強磁性秩序が発現するようになる。この磁性発現境界は量子臨界点と考えられており、そこではCe 4f電子の性質が遍歴的なものから局在的なものへと変化することが期待され、その場合にはバンド構造やフェルミ面に劇的な変化が生じ得る。そこで本研究では、臨界組成をまたいだ組成を持つCeRu$$_2$$(Si$$_{1-x}$$Ge$$_x$$)$$_2$$2化合物とCe$$_{1-x}$$La$$_x$$Ru$$_2$$Si$$_2$$化合物に対してCe 3d$$rightarrow$$4f共鳴エネルギー領域での角度分解光電子分光実験を行って、フェルミ面変化の有無を調べた。実験の結果、得られるフェルミ面イメージが共鳴と非共鳴のエネルギーでは劇的に異なることを観測した。組成の異なる化合物に対するデータの比較から、常磁性状態間では臨界組成をまたいでも顕著なフェルミ面変化は観測されず、4f電子が遍歴的と考えられる状態がつながっていることを示唆する結果が得られた。

口頭

ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの規則配列作製

小松原 彰*; 寺地 徳之*; 堀 匡寛*; 熊谷 国憲*; 田村 崇人*; 大島 武; 小野田 忍; 山本 卓; Muller, C.*; Naydenov, B.*; et al.

no journal, , 

ダイヤモンド中に発光中心を作製することで、量子計算及び量子通信などに応用することができる。本研究では、ダイヤモンドへシリコン(Si)イオンを格子状に照射することで、シリコン-空孔(Si-V)センターを作製し、SiVセンターの生成収率と位置精度の制御性について検討した。生成収率の測定のため、格子状に照射したSiイオンの数を各格子点あたり、2から1000個で変化させた。共焦点顕微鏡を用いて、SiVセンターの水平方向及び深さ方向の空間分布を測定した。観察の結果、SiVが規則的に格子状に生成されていることがわかった。しかし、1格子点あたり100個の場合、明瞭な格子状パターンを観測することができなかったことから、生成収率が1%以下であることが推定された。

口頭

ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの規則配列作製,2

田村 崇人*; 小松原 彰*; 寺地 徳之*; 小野田 忍; 大島 武; Christoph, M.*; Naydenov, B.*; McGuinness, L.*; Jelezko, F.*; 品田 賢宏*; et al.

no journal, , 

量子情報通信において有望な系の一つに挙げられるダイヤモンド中のSiVセンター(シリコンと原子空孔からなる発光センタ)の作製に関する研究を行った。早稲田大学が開発した数十keV級低エネルギー単一イオン注入技術を用いて、狙った位置にSiイオンを1個ずつ注入するとともに、その位置に同時に形成される空孔欠陥を再結合させることで、SiVセンターを作製した。作製したSiVセンターの共焦点顕微鏡像を観察したところ、狙い通り500nm間隔でSiVセンターの規則配列が形成されていることがわかった。さらに、注入イオン数に対する発光センターの生成数を調べた結果、1スポットあたりの注入イオン数が100個の領域においてSiVセンターからの発光が確認され、SiVセンターの生成収率が1%以上であることが明らかとなった。

10 件中 1件目～10件目を表示
  • 1