ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの規則配列作製

Fabrication of the ordered array of optical centers in diamond by low energy ion implantation

小松原 彰*; 寺地 徳之*; 堀 匡寛*; 熊谷 国憲*; 田村 崇人*; 大島 武; 小野田 忍; 山本 卓; Muller, C.*; Naydenov, B.*; McGuinness, L.*; Jelezko, F.*; 谷井 孝至*; 品田 賢宏*; 磯谷 順一*

Komatsubara, Akira*; Teraji, Tokuyuki*; Hori, Masahiro*; Kumagai, Kuninori*; Tamura, Shuto*; Oshima, Takeshi; Onoda, Shinobu; Yamamoto, Takashi; Muller, C.*; Naydenov, B.*; McGuinness, L.*; Jelezko, F.*; Tanii, Takashi*; Shinada, Takahiro*; Isoya, Junichi*

ダイヤモンド中に発光中心を作製することで、量子計算及び量子通信などに応用することができる。本研究では、ダイヤモンドへシリコン(Si)イオンを格子状に照射することで、シリコン-空孔(Si-V)センターを作製し、SiVセンターの生成収率と位置精度の制御性について検討した。生成収率の測定のため、格子状に照射したSiイオンの数を各格子点あたり、2から1000個で変化させた。共焦点顕微鏡を用いて、SiVセンターの水平方向及び深さ方向の空間分布を測定した。観察の結果、SiVが規則的に格子状に生成されていることがわかった。しかし、1格子点あたり100個の場合、明瞭な格子状パターンを観測することができなかったことから、生成収率が1%以下であることが推定された。

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