耐放射線性半導体デバイスの開発

Development of radiation-resistant semiconductor devices

田中 保宣*; 小野田 忍; 大島 武

Tanaka, Yasunori*; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

東日本大震災では東京電力福島第一原子力発電所(東電福島第一原発)の原子炉が壊滅的なダメージを受け、一刻も早くその作業環境が改善されることが望まれる。最近では、無人ロボットを活用したセンシングやがれき撤去作業等が試みられているが、このような無人ロボットは当然のことながら電動制御されており、そこには必ず半導体が活用されている。本研究では原子力用耐放射線性半導体デバイスの開発を目指し、半導体材料として一般的なSi(シリコン)よりも高い耐放射線性が期待できるSiC(炭化珪素)のトランジスタに対して、10MGyまでの線照射を行った。さらに、本トランジスタを回路に組み込み、直流モーターを駆動させながら、SiCトランジスタに線を照射する実験を行った。その結果、数MGyという高放射線環境下での動作を確認でき、その高い耐放射線性を実証した。

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