X線定在波法によるグラフェン/サファイア界面の解析

Atomic structure and interlayer interactions at the graphene/sapphire interface studied by X-ray standing wave spectroscopy

圓谷 志郎; Sorokin, B. P.*; Avramov, P.; 大伴 真名歩; 松本 吉弘; 成田 あゆみ; 平尾 法恵; 下山 巖   ; 関口 哲弘  ; 楢本 洋*; 境 誠司

Entani, Shiro; Sorokin, B. P.*; Avramov, P.; Otomo, Manabu; Matsumoto, Yoshihiro; Narita, Ayumi; Hirao, Norie; Shimoyama, Iwao; Sekiguchi, Tetsuhiro; Naramoto, Hiroshi*; Sakai, Seiji

近年、サファイアなどの絶縁体基板上にグラフェンを成長する試みが広く行われている。従来の触媒金属上への化学気相蒸着法によるグラフェン成長と異なり、成長後にグラフェンシートの絶縁体基板への転写プロセスを経ることなく素子化が可能になるため、基礎及び応用の観点から有望視されている。今回、同界面の原子構造・相互作用を直入射X線定在波法により明らかにした。グラフェン層のサファイア表面からの垂直方向の距離は2.6Aと見積もられた。これは分子間力が支配的であるバルクグラファイト中のグラフェンシートの層間距離やグラフェン/Ir(111)の界面距離(それぞれ約3.4A)よりも著しく小さい。グラフェン/サファイア界面における分子間力を超える相互作用の存在が示唆された。

no abstracts in English