The Carbon vacancy in SiC

SiC中の炭素空孔

Son, N. T.*; Trinh, X. T.*; 須田淳*; 木本恒暢*; Lvile, L. S.*; Svensson, B. G.*; Szasz, K.*; Hornos, T.*; Gali, A.*; 梅田享英*; 磯谷順一*; 牧野高紘; 大島武; Janzn, E.*

Son, N. T.*; Trinh, X. T.*; Suda, Jun*; Kimoto, Tsunenobu*; Lvile, L. S.*; Svensson, B. G.*; Szasz, K.*; Hornos, T.*; Gali, A.*; Umeda, Takahide*; Isoya, Junichi*; Makino, Takahiro; Oshima, Takeshi; Janzn, E.*

近年、炭化ケイ素(SiC)中の炭素(C)空孔関連欠陥の電子状態などが明らかになってきた。しかし、それらのエネルギー準位や、物性への影響に関してはまだ不明な点が残っている。これまで、電子スピン共鳴(Electron Paramagnetic Resonance: EPR)やDeep Level Transient Spectroscopy(DLTS)によって、Z $_{1/2}$ やEH $_{6/7}$ 等の一般的な深い準位にC空孔が含まれることが知られている。具体的には、EH $_{6/7}$ は、C空孔のあるエネルギー準位(0+)に関係していることが明らかになったが、Z $_{1/2}$ とC空孔の関係についてはまだわかっていない。本研究では、電子線を照射した4H-SiCに対して、EPRやDLTSを行い、Z $_{1/2}$ とC空孔の関係について調べた。その結果、EPRによって決定されたZ $_{1/2}$ のエネルギー準位とDLTSによるエネルギー準位は非常によい一致を示し、C空孔のある準位(2-0)と一致することを明らかにした。

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使用言語	:	English
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発行年月	:
発表会議名	:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM 2013)
開催年月	:	2013/09
開催都市	:	Miyazaki
開催国	:	Japan
キーワード	:	no keyword

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研究データの公開先DOI	:	本成果にかかわる研究データのリンクです。
使用施設	:	電子加速器
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受委託・共同研究相手機関	:	筑波大学

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登録番号 : BB20131740
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