線照射後のSiC-MOSキャパシタ及びPiNダイオードの電気特性の変化

Change in electrical properties SiC-MOS capacitor and PiN diode after ray irradiation

田中 量也*; 横関 貴史*; 藤田 奈津子   ; 岩本 直也; 牧野 高紘; 小野田 忍; 大島 武; 田中 雄季*; 神取 幹郎*; 吉江 徹*; 土方 泰斗*

Tanaka, Kazuya*; Yokoseki, Takashi*; Fujita, Natsuko; Iwamoto, Naoya; Makino, Takahiro; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi; Tanaka, Yuki*; Kandori, Mikio*; Yoshie, Toru*; Hijikata, Yasuto*

炭化ケイ素(SiC)半導体は高い放射線耐性があると言われているが、原子力応用などを考えると耐放射線性をさらに高める必要がある。本研究ではシリコン(Si)および炭化ケイ素(SiC)の金属-酸化膜-半導体(MOS)キャパシタに8.7kGy(SiO)/hの吸収線量率で線照射を行い、高周波C-V特性,準静的C-V特性を測定した。この結果、Siに比べSiCは線の影響が少なく、100kGy(SiO)まで安定したC-V特性が得られた。さらに、SiC-PiNダイオードを同様の吸収線量率で照射し、If-Vf特性を評価した結果、SiC-PiNダイオードにおいても安定した特性が確認できた。

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