Co-60線によるSiC-MOSFETのI-V特性の劣化評価

Degradation of I-V characteristics of SiC-MOSFET caused by rays from Co-60

横関 貴史*; 田中 量也*; 藤田 奈津子   ; 牧野 高紘; 小野田 忍; 大島 武; 田中 雄季*; 神取 幹郎*; 吉江 徹*; 土方 泰斗*

Yokoseki, Takashi*; Tanaka, Kazuya*; Fujita, Natsuko; Makino, Takahiro; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi; Tanaka, Yuki*; Kandori, Mikio*; Yoshie, Toru*; Hijikata, Yasuto*

炭化ケイ素(SiC)半導体は、既存のシリコン(Si)半導体と比べ、高い耐放射線性を有することが知られているが、原子力応用の観点からその劣化機構を解明し耐放射線性を高める必要がある。そこで本研究では、製品レベルの品質を有するパッケージ済の金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(SiC-MOSFET)に対して線照射を行い、I-V特性へ及ぼす影響を調べた。具体的には縦型4H-SiC MOSFETに8.7kGy(SiO)/hの吸収線量率で線照射を行い、I-V特性を評価した。Si-MOSFETも同時に照射し、SiCとの比較検討を行った。その結果、Si-MOSFETは吸収線量が増すにつれ、しきい値電圧が負方向に大きくシフトしたのに対し、SiC-MOSFETは吸収線量を増やしてもほとんど変わらず、安定動作が可能であることが明らかになった。

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