SiC-MOSキャパシタの電気特性の線照射線量依存性

ray irradiation dose dependence of electrical characterizations of SiC-MOS capacitors

田中 量也; 横関 貴史; 藤田 奈津子   ; 牧野 高紘; 小野田 忍; 大島 武; 田中 雄季*; 神取 幹郎*; 吉江 徹*; 土方 泰斗*

Tanaka, Kazuya; Yokoseki, Takashi; Fujita, Natsuko; Makino, Takahiro; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi; Tanaka, Yuki*; Kandori, Mikio*; Yoshie, Toru*; Hijikata, Yasuto*

炭化ケイ素(SiC)半導体は高い放射線耐性があると言われているが、原子力応用などを考えると実用レベルのデバイスでの耐性を調べる必要がある。本研究では実用化されているパワー金属-酸化膜-半導体(MOS)電界効果トランジスタと同様なプロセスでゲート酸化膜を作製したシリコン(Si)及びSiC MOSキャパシタに8.7kGy(SiO)/hの吸収線量率で線照射を行い電気特性へ及ぼす影響を調べた。その結果、Si MOSキャパシタでは300kGy(SiO)照射後に容量(C)-電圧(V)特性曲線が負電圧側に5Vシフトしたのに対し、SiC MOSキャパシタのC-V曲線は負電圧側に0.5Vのみのシフトであり、SiCはSiに比べ安定した特性を示すことが明らかとなった。

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