ウランカルコゲナイドの比熱

Specific heat of uranium chalcogenides

山本 悦嗣  ; 芳賀 芳範   ; 立岩 尚之   ; 池田 修悟*; 酒井 宏典   ; 山村 朝雄*; Fisk, Z.

Yamamoto, Etsuji; Haga, Yoshinori; Tateiwa, Naoyuki; Ikeda, Shugo*; Sakai, Hironori; Yamamura, Tomoo*; Fisk, Z.

斜方晶のジカルコゲナイドUSX(X=S, Se, Te)では原子番号が大きくなるにしたがい、半導体から金属まで伝導度が変化し、これに伴い磁性も常磁性から強磁性に変化する。このなかで-USは低温において狭いギャップを持つ半導体であるが、そのギャップは磁場や圧力などに非常に敏感であり、7T程度の磁場や8GPa程度の圧力で6桁以上も電気抵抗が減少し、金属的な振る舞いを示す。一方、この磁気抵抗効果には、磁気ポーラロンの形成が関与していると考えられることが磁化測定からわかっている。今回、我々は-USについて磁場中での比熱を測定した。8Tの磁場下では低温での比熱が抑制され、磁気ポーラロンによる比熱の寄与が失われており、磁化測定結果とコンシステントである。一方、高温側での結晶場に起因する磁気比熱にもわずかに変化が見られた。

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