Radiation resistance of super-straight type amorphous silicon germanium alloy solar cells

スーパーストレート型アモルファスシリコンゲルマニウム太陽電池の耐放射線性

佐藤 真一郎; 目黒 智巳*; 末崎 恭*; 山本 憲治*; 大島 武

Sato, Shinichiro; Meguro, Tomomi*; Suezaki, Takashi*; Yamamoto, Kenji*; Oshima, Takeshi

アモルファスシリコン系太陽電池は薄膜軽量かつ安価に大量生産が可能であることから、宇宙用への応用も期待されているが、バンドギャップ制御のために用いられるゲルマニウム添加が耐放射線性に及ぼす影響は明らかになっていない。今回、スーパーストレート型アモルファスシリコンゲルマニウム太陽電池の陽子線照射を行い、ゲルマニウム濃度の違いによる耐放射線性の違いや、照射後の室温での回復効果を調べた。その結果、ゲルマニウムが添加されると耐放射線性が低下することが明らかになとなった。一方、照射後の回復効果については顕著な差は見られなかった。

Performance degradation of super-straight type amorphous silicon germanium alloy (a-SiGe) solar cells due to proton irradiation are investigated using an in-situ current-voltage measurement system. The results show that a-Si solar cells have higher radiation resistance than a-SiGe solar cells. Also, the room temperature annealing effects immediately after irradiation are investigated and it is shown that the recovery of the short-circuit current is especially prominent in all the parameters. Based on the obtained results, we propose a radiation hardened design of amorphous silicon alloy multi-junction solar cells.