Characterization of Pt and Pd epitaxial films on sapphire substrates by RBS/channeling

サファイア基板上に形成した白金及びパラジウムのエピタキシャル膜のRBS/チャネリングによる評価

Yamamoto, Shunya; Hakoda, Teruyuki; Yoshikawa, Masahito

白金(Pt),パラジウム(Pd)等は、有機水素化合物の脱水素触媒や高分子形燃料電池の酸素還元触媒などに用いられる触媒材料であり、高活性な触媒材料の研究開発を進めるためには、触媒反応過程を理解するとともに結晶方位を制御した高い結晶性のエピタキシャル膜が必要とされる。本研究では、サファイア単結晶基板上にスパッタリング法により成膜中の基板温度をパラメータとし、X線回折法及びラザフォード後方散乱(RBS)法により、作製した厚さ100nmのPt及びPdのエピタキシャル膜の結晶方位、深さ方向の結晶性を評価した。その結果、(0001)面のサファイア基板上に基板温度600 $^{circ}$ C及び500 $^{circ}$ CでPt及びPdを蒸着することにより結晶性の高いPt(111)膜及びPd(111)膜が形成できることがわかった。さらに、基板温度600 $^{circ}$ Cでサファイア基板上に厚さ約1nmのPt(111)のバッファー層を設けることより、基板温度300 $^{circ}$ CでAu(111)膜が形成できることがわかった。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	JAEA-Review 2014-050, JAEA Takasaki Annual Report 2013
巻	:
号	:
ページ数	:	P. 129
発行年月	:	2015/03
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	Pt; Pd; エピタキシャル膜; epitaxial films

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAEA-Review-2014-050.pdf#page=161
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
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登録番号 : AA20140143
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 15895

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