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$$gamma$$線照射したSiC-MOSFETの特性の安定性

Stability of the electrical characteristics of SiC-MOSFETs irradiated with $$gamma$$-rays

横関 貴史; 牧野 高紘; 阿部 浩之; 小野田 忍; 大島 武; 田中 雄季*; 神取 幹郎*; 吉江 徹*; 土方 泰斗*

Yokoseki, Takashi; Makino, Takahiro; Abe, Hiroshi; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi; Tanaka, Yuki*; Kandori, Mikio*; Yoshie, Toru*; Hijikata, Yasuto*

原子力用の耐放射線性半導体デバイスの開発に資するため、炭化ケイ素(SiC)金属-酸化膜-半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)の$$gamma$$線照射による劣化特性や、照射後の劣化特性の安定性について調べた。実験には六方晶(4H)SiC MOSFETと比較のシリコン(Si)MOSFETを用い、1.2MGyまで$$gamma$$線照射を行い、その後、室温から360$$^{circ}$$Cまでの熱処理を行った。その結果、1.2MGy照射後にSiC MOSFETのしきい値電圧(V$$_{th}$$)は初期値に対して3Vマイナス側にシフトしたのに対し、Si MOSFETのV$$_{th}$$は20V程度マイナス側にシフトすることが判明した。また、照射後、Si MOSFETは室温においても劣化特性が回復するが、SiC MOSFETは室温では回復が見られず、120$$^{circ}$$C以上の熱処理で顕著な回復が見られることが判明した。360$$^{circ}$$Cの熱処理後にはSiC及びSi MOSFETは、それぞれ、未照射の91%及び97%まで回復を示した。このことからSiCとSiでは$$gamma$$線照射により酸化膜及び酸化膜と半導体界面に発生する欠陥の種類が異なり、SiCの方が熱的に安定であると結論できる。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会

開催年月

 :

2014/09

開催都市

 :

札幌

開催国

 :

日本

キーワード

 :

ガンマ線照射; SiC MOSFET; 耐放射線性; I-V特性; しきい値電圧

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

コバルト60照射施設

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

埼玉大学

Access

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