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超音速分子線を用いて酸化されたSi(113)表面の解析

Analysis of Si(113) surfaces oxidized by a supersonic seeded molecular beam technique

田中 一馬*; 大野 真也*; 小玉 開*; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 田中 正俊*

Tanaka, Kazuma*; Ono, Shinya*; Kodama, Hiraku*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Tanaka, Masatoshi*

3次元構造をもつSi-MOSFET構造においては、Si高指数面上に形成される極薄酸化膜の構造や電子状態の詳細な理解が求められている。本研究ではSPring-8 BL23SUの表面化学実験ステーション(SUREAC2000)においてSi(113)表面酸化過程のリアルタイム光電子分光実験を行った。Si(113)の酸化には0.06から1.0eVの並進運動エネルギーの超音速分子線を用いた。Si2pのスペクトルをSi$$^{B}$$, Si$$_{alpha}$$, Si$$_{beta}$$, Si$$^{1+}$$, Si$$^{2+}$$, Si$$^{3+}$$, Si$$^{4+}$$の7成分にピーク分離して解析した。Si$$^{B}$$はSi基板由来のピーク、Si$$_{alpha}$$, Si$$_{beta}$$は界面歪みSi成分のピーク、Si$$^{1+}$$, Si$$^{2+}$$, Si$$^{3+}$$, Si$$^{4+}$$は酸化状態に対応したピークである。分子線の並進運動エネルギーの増大に伴い、Si$$^{1+}$$とSi$$^{2+}$$は減少傾向を、Si$$^{3+}$$とSi$$^{4+}$$に関しては増加傾向を示した。本報告ではSi(113)表面酸化過程におけるそれぞれの成分の振る舞いを系統的に議論する。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会

開催年月

 :

2014/09

開催都市

 :

札幌

開催国

 :

日本

キーワード

 :

シリコン; 放射光光電子分光; 酸化

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

横浜国立大学

Access

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