田中 一馬*; 大野 真也*; 小玉 開*; 吉越 章隆 
; 寺岡 有殿; 田中 正俊*
Tanaka, Kazuma*; Ono, Shinya*; Kodama, Hiraku*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Tanaka, Masatoshi*
Siナノワイヤトランジスタ等の3次元構造をもつMOSFET構造においては様々な面方位のSiO
/Si界面が存在する。したがって、Si高指数面上に形成される極薄酸化膜の構造や電子状態のより詳細な理解が求められている。本研究では、Si高指数面のうち酸化過程が特異であると期待されるSi(113)面の酸化に焦点を当て、SPring-8 BL23SUの表面化学実験ステーションにおいてリアルタイム光電子分光実験を行ってその酸化過程を調査した。酸素ガス(0.03eV)に曝露した酸化では、バンドベンディングが初期過程で急激に減少するのに対し、1.0eVの分子線を用いた酸化では初期過程でのわずかな減少から増加傾向に転じた。本講演では並進運動エネルギー依存性に着目して、Si(113)面における酸化メカニズムについて報告する。
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使用言語 |
: | Japanese |
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: | 2015/03 |
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: | 平塚 |
開催国 |
: | 日本 |
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