線照射によるSiC MOSFETの耐放射線性評価-rays at elevated temperature松田 拓磨; 横関 貴史; 三友 啓; 村田 航一; 牧野 高紘; 阿部 浩之; 小野田 忍; 大久保 秀一*; 田中 雄季*; 神取 幹郎*; 吉江 徹*; 大島 武; 土方 泰斗*
Matsuda, Takuma; Yokoseki, Takashi; Mitomo, Satoshi; Murata, Koichi; Makino, Takahiro; Abe, Hiroshi; Onoda, Shinobu; Okubo, Shuichi*; Tanaka, Yuki*; Kandori, Mikio*; Yoshie, Toru*; Oshima, Takeshi; Hijikata, Yasuto*
原子炉等の極限環境下で作業可能なロボット開発に向け、SiC(炭化ケイ素)半導体を用いたMOSFET(金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ)の耐放射線性強化に関する研究を行った。150
Cの温度で、
Co線を4MGyまで照射した結果、しきい値電圧の負電圧側へのシフトが、室温照射に比べ抑制されていることを見いだした。具体的には、1MGyまではしきい値電圧が負電圧側へシフトを示したが、それよりも大きな照射量になると、負電圧側へのシフトが抑制されて一定値となることがわかった。これは高温照射により、酸化膜界面付近にトラップされる正孔がアニールされてしまうためであると考えられる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | Japanese |
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: | 2015/03 |
開催都市 |
: | 平塚 |
開催国 |
: | 日本 |
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