Comprehensive study and design of scaled metal/high-/Ge gate stacks with ultrathin aluminum oxide interlayers

極薄アルミ酸化中間層を持つスケーリングした金属/high-/Geゲートスタックのデザインとその総合評価

淺原 亮平*; 秀島 伊織*; 岡 博*; 箕浦 佑也*; 小川 真吾*; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*

Asahara, Ryohei*; Hideshima, Iori*; Oka, Hiroshi*; Minoura, Yuya*; Ogawa, Shingo*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Hosoi, Takuji*; Shimura, Takayoshi*; Watanabe, Heiji*

サブnmの換算酸化膜厚を有する高性能金属/high-/Geゲートスタック構造とその界面特性の改善を酸化アルミニウム中間層を使った界面反応制御によって実現した。物理および電気的な複合評価によってAlOx界面層の諸特性やプラズマ酸化などの詳細な関係を明らかにした。

Advanced metal/high-/Ge gate stacks with a sub-nm equivalent oxide thickness and improved interface properties were demonstrated by controlling interface reactions using ultrathin aluminum oxide (AlOx) interlayers. Comprehensive study by means of physical and electrical characterizations revealed distinct impacts of AlOx interlayers, plasma oxidation.