S-NMR study in -US

-USにおけるS核NMR

酒井 宏典   ; 服部 泰佑; 比嘉 野乃花; 徳永 陽  ; 立岩 尚之   ; 山本 悦嗣  ; 芳賀 芳範   ; 神戸 振作  ; Reyes, A. P.*; Bauer, E. D.*; Ronning, F.*; Thompson, J. D.*

Sakai, Hironori; Hattori, Taisuke; Higa, Nonoka; Tokunaga, Yo; Tateiwa, Naoyuki; Yamamoto, Etsuji; Haga, Yoshinori; Kambe, Shinsaku; Reyes, A. P.*; Bauer, E. D.*; Ronning, F.*; Thompson, J. D.*

-USは常磁性のナローギャップ半導体である。本化合物の特徴は、外部磁場に強く反応する電気抵抗率である。他方、1GPa程度の圧力で強磁性が誘起されるため、強磁性不安定性をもつと考えられる。微視的に電子状態を調べるため、S核NMRを行った。講演では、最近の実験結果を示して、本系の電子状態について議論したい。

-US is a paramagnetic narrow-gap semiconductor with the energy band gap of 90 K. A characteristic feature of -US is the strong response of the electrical resistivity to magnetic field. On the other hand, ferromagnetism is easily induced by pressure of about 1 GPa. Consequently, it is considered to be close to a ferromagnetic instability. To elucidate microscopically this very sensitive electronic states to external fields, S-NMR study has been performed. We will show our recent S-NMR results and discuss the electronic states.