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Steam oxidation of silicon carbide at high temperature up to 1800$$^{circ}$$C

Pham, V. H.   ; 永江 勇二 ; 倉田 正輝 ; 古本 健一郎*; 佐藤 寿樹*; 石橋 良*; 山下 真一郎   

Pham, V. H.; Nagae, Yuji; Kurata, Masaki; Furumoto, Kenichiro*; Sato, Hisaki*; Ishibashi, Ryo*; Yamashita, Shinichiro

Silicon carbide has been considered as a potential candidate for fuel cladding. Many studies have been conducted to investigate the steam oxidation of SiC at temperatures below 1600$$^{circ}$$C. However, the steam oxidation behavior of SiC at temperatures above 1600$$^{circ}$$C remained unclear due to the lack of test facilities. In this study, we investigated the steam oxidation of SiC at temperatures ranging from 1400-1800$$^{circ}$$C using a newly developed laser heating facility.

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

日本原子力学会2019年春の年会

開催年月

 :

2019/03

開催都市

 :

水戸

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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広報プレスリリース

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