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Hex-Au(100)再構成表面上でのグラフェンの電子バンド構造の変調

Modification of electronic band structure of graphene on Hex-Au(100) reconstructed surface

寺澤 知潮  ; 保田 諭  ; 林 直輝*; 乗松 航*; 伊藤 孝寛*; 町田 真一*; 矢野 雅大  ; 斉木 幸一朗*; 朝岡 秀人 

Terasawa, Tomoo; Yasuda, Satoshi; Hayashi, Naoki*; Norimatsu, Wataru*; Ito, Takahiro*; Machida, Shinichi*; Yano, Masahiro; Saiki, Koichiro*; Asaoka, Hidehito

本研究ではAu(100)単結晶上にグラフェンをCVD法によって作製し、角度分解光電子分光(ARPES)法によってグラフェンの電子バンド構造を直接観察した。グラフェンの直線的なバンド分散において、ディラック点から約0.9eV離れた領域に光電子強度の減少が確認された。これはこのエネルギー帯においてグラフェンのバンド構造が1.44nmの繰り返し周期を持つHex-Au(100)再構成構造によって変調を受けたことを示している。

We report the band structure of graphene grown on hex-Au(001) using angle resolved photoemission spectroscopy (ARPES). We prepared graphene on hex-Au(001) by chemical vapor deposition and took ARPES image of the sample at AichiSR BL7U. The linear graphene band shows the intensity reduction at the binding energy of approximately 0.9 eV, indicating the modification of band structure of graphene by quasi-one dimensional potential of the hex-Au(001) reconstructed surface.

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