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Si(110)-16$$times$$2再構成構造上の異方的な拡散

Anisotropic diffusion on Si(110)-16$$times$$2 reconstruction structure

矢野 雅大  ; 寺澤 知潮  ; 保田 諭  ; 町田 真一*; 朝岡 秀人 

Yano, Masahiro; Terasawa, Tomoo; Yasuda, Satoshi; Machida, Shinichi*; Asaoka, Hidehito

Si(110)-16$$times$$2再構成構造上での異方的なSiの拡散係数の比を酸化膜分解過程で成長するボイドを走査型トンネル顕微鏡を用いて詳細に観測することで明らかにした。ボイドの拡大速度の異方性はボイドの深さに依存し、ボイドの底面から酸化膜までSiが拡散する過程で異方性が小さくなることを示唆した。このボイド側面でのSiの拡散をランダムウォークと仮定してシミュレーションを行うことで16$$times$$2再構成構造のステップ列平行方向への拡散係数が、その垂直方向より約3倍大きいことを明らかにした。

no abstracts in English

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