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アルミ酸化膜を用いた不揮発メモリの電子状態の観測

Electronic structure in resistance random access memory effect in alumina

久保田 正人 ; 加藤 誠一*; 児子 精祐*; 雨宮 健太*

Kubota, Masato; Kato, Seiichi*; Nigo, Seisuke*; Amemiya, Kenta*

メモリ動作を示すアルミ酸化膜に対して、元素選択的な電子状態を知るために、放射光吸収スペクトル測定を行った。オン状態では、酸素の吸収スペクトルのバンドギャップ内にサブピークが出現することを明らかにした。一方、アルミニウムの吸収スペクトルには、オン・オフ状態で顕著な変化は観測されなかった。酸素サイト周辺の電子がメモリ動作時に影響していることを意味している。

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