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論文

Direct observation of electronic structure change by resistance random access memory effect in amorphous alumina

久保田 正人; 児子 精祐*; 加藤 誠一*; 雨宮 健太*

AIP Advances (Internet), 9(9), p.095050_1 - 095050_4, 2019/09

 被引用回数:0 パーセンタイル:0(Nanoscience & Nanotechnology)

アルミ酸化膜のメモリ機能と微視的な物性の関係を明らかにするために、放射光吸収測定を行い、電気特性の変化に伴う酸素サイトの電子状態の変化を直接的に捉えることに成功した。

論文

Conduction band caused by oxygen vacancies in aluminum oxide for resistance random access memory

児子 精祐*; 久保田 正人; 原田 善之*; 平山 泰生*; 加藤 誠一*; 北澤 英明*; 木戸 義勇*

Journal of Applied Physics, 112(3), p.033711_1 - 033711_6, 2012/08

 被引用回数:53 パーセンタイル:89.52(Physics, Applied)

As a next-generation memory, we have developed a rare-metal-free memory using Al oxide with a high-density of oxygen vacancies (V$$_{o}$$). We showed a resistive switching mechanism of an AlOx-ReRAM based on the electronic states revealed by TSC. This system is expected to have high endurance, equivalent to that of dynamic random access memory (DRAM), because it is driven by increasing/decreasing numbers of electrons, similar to DRAM. The electronic structure has been simulated using first-principles calculations. We report the electronic structure of the band gap, analyzed using thermally stimulated current measurements, to evaluate the simulated results. We observed electronic states corresponding to resistance changes for the first time.

口頭

アルミ酸化膜を用いた不揮発メモリの電子状態の観測

久保田 正人; 加藤 誠一*; 児子 精祐*; 雨宮 健太*

no journal, , 

メモリ動作を示すアルミ酸化膜に対して、元素選択的な電子状態を知るために、放射光吸収スペクトル測定を行った。オン状態では、酸素の吸収スペクトルのバンドギャップ内にサブピークが出現することを明らかにした。一方、アルミニウムの吸収スペクトルには、オン・オフ状態で顕著な変化は観測されなかった。酸素サイト周辺の電子がメモリ動作時に影響していることを意味している。

口頭

放射光を用いたアモルファスアルミナReRAMの電子構造の直接観察

加藤 誠一*; 児子 精祐*; 久保田 正人; 雨宮 健太*

no journal, , 

アモルファスアルミナReRAMのスイッチング現象の電子状態の理解のために放射光実験を行った。酸素周辺ではオン状態でサブバンドに起因するとみられるピークが観測された。一方、アルミニウムサイトではこのピークは観測されなかった。アモルファスアルミナは、オン・オフ状態の変化に際して、化学変化は伴っていないことを明らかにした。

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