Profiling of collimated swift ion microbeam using 16 M bit DRAM

16M bit DRAMを用いたコリメートされた高エネルギーイオンマイクロビームの評価

森 英喜*; 平尾 敏雄; 小野田 忍*; 伊藤 久義; 岡田 漱平; 岡本 毅*; 小泉 義晴*

Mori, Hidenobu*; Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu*; Ito, Hisayoshi; Okada, Sohei; Okamoto, Tsuyoshi*; Koizumi, Yoshiharu*

人工衛星に搭載する半導体素子のシングルイベント耐性強化には、素子を構成する要素回路の耐性を個々に調べ、耐性が低い回路を選別して改善を図るのが有効である。このためには、宇宙線と同等なLETを有する高エネルギー重イオンを微小化し、目的とする素子要素回路に照射する必要がある。そこでわれわれは、マイクロコリメータを用いた高エネルギー重イオンマイクロビームの形成を試みた。直径が100m及び20mのマイクロコリメータ通過後のビーム形状を16M bit DRAMを用いたビームプロファイルモニタで、エネルギースペクトルを半導体検出器(SSD)で評価した結果、20mコリメータ使用時は散乱成分が多いものの、100mコリメータでは散乱成分がほとんどない良質の微小ビームの形成が確認できた。

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