Ion-induced electron emission from Si crystal targets covered with noncrystalline Si layers

非晶質表面を持つSi結晶からのイオン誘起2次電子放出

工藤 博*; 中村 直樹*; 渋谷 光樹*; 鳴海 一雅; 山本 春也; 楢本 洋; 住友 弘二*; 関 整爾*

Kudo, Hiroshi*; Nakamura, Naoki*; Shibuya, Koki*; Narumi, Kazumasa; Yamamoto, Shunya; Naramoto, Hiroshi; Sumitomo, Koji*; Seki, Seiji*

イオン誘起2次電子分光法は、重元素マトリックス上の軽元素(炭素等)の結晶学的解析に有効な唯一の手法である。しかし、広く一般化した手法として確立するためには、電子波の干渉のない条件で、2次電子放出現象を記述するパラメータの有効性を確認する必要がある。本実験では、非晶質宋の厚さの関数として、100keV/UのH,He及び3.5MeV/UのOをターゲットに入射して、2次電子スペクトルを測定した。その結果、SiのL殻電子によってシャドーイングを受けると考えれば、有効試料厚さ及び電子の有効脱出深さの二つのパラメータにより、2次電子放出挙動を説明できることを明らかにした。

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