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A Grating monochromator of BL23SU at SPring-8 covering silicon and oxygen ${it K}$-edges

化学処理を行ったSi基板のSi ${it K}$吸収端スペクトル

吉越 章隆 ; 安居院 あかね; 中谷 健* ; 松下 智裕*; 斎藤 祐児 ; 横谷 明徳

Yoshigoe, Akitaka; Agui, Akane; Nakatani, Takeshi*; Matsushita, Tomohiro*; Saito, Yuji; Yokoya, Akinari

高分解能回折格子分光器とアンジュレーターを組合せたSPring-8軟X線ビームライン(BL23SU)において、Siの${it K}$吸収端以下の低エネルギー領域におけるXAFS(NEXAGS, EXAFS)研究を開拓したので報告する。XAFS研究は、約1800eV以上では結晶分光器、1200eV程度までの軟X線領域は、回折格子分光器が利用されてきた。1200eV$$sim$$1800eVのエネルギー領域は、技術的な問題から、XAFS測定が困難であった。250eV$$sim$$2.0keVの軟X線領域には、原子番号が14以下のC, N, O, F, Na, Mg, Al, Siなどの軽元素の${it K}$吸収端及びそのほかの元素のL吸収端がある。これらの元素を含む物質は、表面科学,生物科学,物性科学などの基礎科学の分野で重要であるばかりでなく、工業用材料としてもさまざまな分野で利用されている。これらの元素を含む物質科学研究へXAFSを応用したときの波及効果は計り知れない。今回、電子デバイスプロセスの保護膜として重要な化学処理によって形成されたSi基板上の酸化膜の構造及び電子状態を、Si ${it K}$吸収端XAFSによって明らかにしたので、XAFS-11において報告する。

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