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Enhancement of electrical activation of aluminum acceptors in 6H-SiC by co-implantation of carbon ions

炭素イオン共注入による6H-SiC中のアルミニウムアクセプタの電気的活性化の向上

大島 武; 伊藤 久義; 吉川 正人

Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Yoshikawa, Masahito

シリコンカーバイド(SiC)半導体へのアクセプタ不純物導入の最適条件探索のため、注入濃度と温度を変化させてアルミニウム(Al)と炭素イオン(C)の共注入を行った。Alは室温~800$$^{circ}C$$で1$$times$$10$$^{18}$$,1$$times$$10$$^{19}$$及び5$$times$$10$$^{19}$$/cm$$^{3}$$、Cは室温または800$$^{circ}C$$で2$$times$$10$$^{17}$$~3$$times$$10$$^{19}$$/cm$$^{3}$$の範囲で注入した。ホール係数測定より注入層のホール濃度を求めたところ、Al注入濃度が1$$times$$10$$^{18}$$と1$$times$$10$$^{19}$$/cm$$^{3}$$試料の場合は、Cを2$$times$$10$$^{17}$$~5$$times$$10$$^{18}$$/cm$$^{3}$$の濃度で共注入した試料のホール濃度がアルミニウム単独の注入に比べ高く、両者とも共注入C濃度が1$$times$$10$$^{18}$$/cm$$^{3}$$付近でホール濃度は最大値を示した。これより共注入C濃度として1$$times$$10$$^{18}$$/cm$$^{3}$$が決定できた。また、Cを800$$^{circ}C$$で共注入した試料は室温注入試料に比べ高いホール濃度を示し、高温C共注入の有効性を明確にすることができた。一方、高濃度(5$$times$$10$$^{19}$$/cm$$^{3}$$)Al注入の場合は、C共注入によるホール濃度の変化は見られず、Alの高温注入によりホール濃度が高められることが確認できた。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Materials Science Forum

巻

 :

353-356

号

 :

ページ数

 :

p.575 - 578

発行年月

 :

2001/00

発表会議名

 :

3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM-2000)

開催年月

 :

2000/09

開催都市

 :

Kloster Banz

開催国

 :

Germany

キーワード

 :

シリコンカーバイド; アクセプタ不純物; イオン注入; 炭素共注入; ホール濃度

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

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 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

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