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De Haas-van Alphen effect and Fermi surface in UC

UCにおけるドハース=ファンアルフェン効果とフェルミ面

山本 悦嗣  ; 芳賀 芳範   ; 眞榮平 孝裕*; 稲田 佳彦*; 村川 政男*; 大貫 惇睦; 長谷川 彰*

Yamamoto, Etsuji; Haga, Yoshinori; Maehira, Takahiro*; Inada, Yoshihiko*; Murakawa, Masao*; Onuki, Yoshichika; Hasegawa, Akira*

UCの純良単結晶を育成し、ドハース=ファンアルフェン(dHvA)効果の測定を行った。半金属UCのフェルミ面が3つのだ円正孔面と6つのクッション状の電子面から成ることが明らかになった。これらのフェルミ面の性質はdHvA測定とSRAPW法によるバンド計算を元にして確かめられた。ホール面はCの2p荷電子による寄与が大きく、電子面はUの5f伝導電子による寄与が大きい。ホール面のサイクロトロン質量は小さく静止電子質量程度なのに対し、電子面では4.0~15m$$_{o}$$と大きくなっている。これはUの5f電子の性質に起因すると考えられる。

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