阿部 浩之; 上殿 明良*; 内田 裕久*; 小松 淳*; 岡田 漱平; 伊藤 久義
Abe, Hiroshi; Uedono, Akira*; Uchida, Hirohisa*; Komatsu, A.*; Okada, Sohei; Ito, Hisayoshi
パラジウム(Pd)の水素吸蔵能を向上させることは実用上非常に重要である。われわれは、イオン照射による材料改質の検討の一環として、照射欠陥と水素吸蔵特性との関係を調べた。Pd板(サイズ: 10
100.1mm
)にプロトン照射(エネルギー: 100keV,ドーズ量: 最大110
/cm
)を行い、形成される欠陥を低速陽電子ビームを用いた消滅
線エネルギードップラー拡がり測定により評価した。この結果、照射によるS-パラメータの増加が観測され、Pd表面層(厚さ400nm)における空孔クラスターの形成が確認された。また、照射及び未照射試料の水素吸蔵速度及び最大吸蔵量を比較した結果、照射により最大吸蔵濃度は変化しないが、吸蔵速度は低下することがわかった。これは、Pdバルク内への水素原子侵入に対する空孔クラスターのブロッキング効果で説明できる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 363-365 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.156 - 158 |
発行年月 |
: | 2001/05 |
発表会議名 |
: | 12th International Conference on Positron Annihilation (ICPA-12) |
開催年月 |
: | 2000/08 |
開催都市 |
: | Munich |
開催国 |
: | Germany |
キーワード |
: | Positron Annihilation; Ion Implantation; Pd; Hydrogen Absorption; Absorption Rate |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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