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Defect structure of high-T$$_{c}$$ superconductor by high-energy heavy ion irradiation

高エネルギー重イオン照射による酸化物高温超伝導体の欠陥構造

笹瀬 雅人; 岡安 悟  ; 倉田 博基; 北條 喜一

Sasase, Masato; Okayasu, Satoru; Kurata, Hiroki; Hojo, Kiichi

照射イオンの電子励起によるエネルギー損失(-dE/dx)と円柱状欠陥の大きさとの関係を調べ、Time Dependence Line Source モデルにより円柱状欠陥生成に必要なエネルギー付与量を計算した。その結果、照射エネルギーの増加とともに電子励起によるエネルギー損失量が増加して、生成した円柱状欠陥の直径が8.4nmから16nmに増加することが明らかとなった。また、TEM観察の結果と電子励起によるエネルギー損失量をもとに、Time Dependence Line Sourceモデルにより円柱状欠陥生成に必要なエネルギー付与量(=電子励起によるエネルギー損失量)を計算した。その結果、イオン照射により付与されたエネルギーの1/3が円柱状欠陥生成に寄与していることが明らかとなった。

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