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アルミニウム/炭素共イオン注入によるp型SiCの作製

Fabrication of p-type SiC using aluminum/carbon co-implantation

大島 武; 伊藤 久義; 吉川 正人

Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Yoshikawa, Masahito

アルミニウム(Al)/炭素(C)共注入によるp型伝導シリコカーバイド(SiC)半導体の最適作製条件を明らかにするため、注入濃度と温度を変化させてAlとC注入を行った。Alは室温~800$$^{circ}C$$で2$$times$$10$$^{18}$$,2$$times$$10$$^{19}$$及び1$$times$$10$$^{20}$$/cm$$^{3}$$、Cは室温または800$$^{circ}C$$で2$$times$$10$$^{17}$$~5$$times$$10$$^{19}$$/cm$$^{3}$$の範囲で注入した。ホール係数測定より注入層の正孔濃度を求めたところ、低濃度(2$$times$$10$$^{19}$$/cm$$^{3}$$以下)Al注入試料では、2$$times$$10$$^{17}$$~5$$times$$10$$^{18}$$/cm$$^{3}$$のC共注入を行うことでAl単独注入に比べ正孔濃度が上昇すること、C濃度が1$$times$$10$$^{18}$$/cm$$^{3}$$付近で正孔濃度が最大値を示すことがわかった。これより最適共注入C濃度として1$$times$$10$$^{18}$$/cm$$^{3}$$が決定できた。また、Cを800$$^{circ}C$$で共注入した試料は室温C共注入試料に比べ高い正孔濃度を示し、高温C共注入の有効性を明確にすることができた。一方、高濃度(1$$times$$10$$^{20}$$/cm$$^{3}$$)Al注入の場合は、C共注入によるホール濃度の変化は見られず、Al自体の高温注入により正孔濃度が高められることが確認できた。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

第11回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム(BEAMS 2000)報文集

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.139 - 142

発行年月

 :

2000/11

発表会議名

 :

第11回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム(BEAMS2000)

開催年月

 :

2000/11

開催都市

 :

東京

開催国

 :

日本

キーワード

 :

シリコンカーバイド; p型電気伝導; 炭素共イオン注入; 正孔濃度

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

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使用施設

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広報プレスリリース

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