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/4H-SiC(0001) interface山下 健也*; 北畠 真*; 楠本 修*; 高橋 邦匡*; 内田 正男*; Miyanaga, Ryoko*; 伊藤 久義; 吉川 正人
Materials Science Forum, 389-393, p.1037 - 1040, 2002/00
被引用回数：3 パーセンタイル：16.1(Materials Science, Multidisciplinary)高温酸素中で炭化ケイ素(SiC)表面に酸化膜(SiO)を作製すると、酸化膜と炭化ケイ素の界面(SiO/SiC界面)には、界面中間層と呼ばれる酸化膜でも炭化ケイ素でもない層が形成されることが知られている。この層には炭素が多量に存在しており、MOS構造を形成したときの界面準位発生の原因になっていると考えられている。今回の発表では、水素燃焼酸化法を用いて4H-SiC表面に作製した酸化膜に水蒸気アニーリングを施した試料と施さない試料について、それぞれの酸化膜中の炭素濃度を二次イオン質量分析(SIMS)法によって分析し、炭素の酸化膜内部の深さ方向分布を調べた。その結果、水蒸気アニーリングを施した試料からは多量の炭素が検出されたが、施さなかった試料からは検出されなかった。このことから、酸化によって発生した界面中間層の内部に存在する炭素が、水蒸気アニーリングによって酸化され、酸化膜内部に再分布する可能性が示唆された。
0) face of 4H-SiC吉川 正人; 大島 武; 伊藤 久義; 高橋 邦方*; 北畠 真*
Materials Science Forum, 353-356, p.635 - 638, 2001/00
nタイプ4H-SiC基板の(11-20)及び(1-100)面上に成長させたエピ膜を1100
Cで1時間酸化して、約50nmの酸化膜を作製後、800C、850もしくは950Cで3時間水蒸気中でアニーリングした。その後金蒸着を行って(110)及び(1
00)面上にMOS構造を形成した。CV特性をこれらMOS構造に対して測定し、伝導体近傍の界面準位密度(Dit)並びに界面準位総量(Nit)を求めた。この結果、(110)面では界面準位総量が水蒸気アニーリングによって減少することがわかった。特に伝導体近傍では、界面準位密度のエネルギー分布が変化し、界面準位密度の低下が認められた。
吉川 正人; 高橋 邦方*; 大島 武; 北畠 真*; 伊藤 久義
Proceedings of 1st International Workshop on Ultra-Low-Loss Power Device Technology (UPD2000), p.199 - 200, 2000/00
近年、4H-SiC及び6H-SiC基板の面方位とこれら基板表面に形成されたMOS構造トランジスタの反転層内に誘導される電子のチャンネルモビリティの関連性が注目されている。そこで4H-SiC基板の面方位として(11-20)面と(1-100)面を選び、その表面にMOS構造キャパシタを形成して、界面準位と固定電荷の量を調べ、従来から用いられている面方位(0001)面のそれらと比較した。その結果、深部の界面準位は、(0001)面に比べ(11-20)及び(1-100)面の方がはるかに多く発生した。しかしながら、水蒸気中で850C、3時間の水蒸気中アニールを行ったところ、界面準位が1/2以下に減少した。(11-20)面は、水蒸気中アニールを行う温度を最適化すれば、界面準位の低減が可能であることがわかった。
