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論文

Radioactivity and radionuclides in deciduous teeth formed before the Fukushima-Daiichi Nuclear Power Plant accident

高橋 温*; 千葉 美麗*; 棚原 朗*; 相田 潤*; 清水 良央*; 鈴木 敏彦*; 村上 忍*; 小荒井 一真; 小野 拓実*; 岡 壽崇; et al.

Scientific Reports (Internet), 11(1), p.10355_1 - 10355_11, 2021/05

 被引用回数:6 パーセンタイル:41.49(Multidisciplinary Sciences)

The Fukushima-Daiichi Nuclear Power Plant (FNPP) accident released substantial amounts of radionuclides into the environment. We collected 4,957 deciduous teeth, from children living in Fukushima and reference prefectures. Radioactivity was detected in most of the teeth examined and was attributed to the presence of natural radionuclides, including $$^{40}$$K and daughter nuclides in $$^{238}$$U and $$^{232}$$Th series. Additionally, artificial radionuclides, $$^{90}$$Sr and $$^{137}$$Cs, were detected in the teeth obtained from children from Fukushima and the reference prefectures. However, these radionuclides were not believed to have originated from the FNPP accident. Because the teeth examined in the present study were formed before the FNPP accident occurred, the aforementioned findings may serve as important control data for future studies regarding the radioactivity of teeth formed after the FNPP accident.

論文

国際核融合エネルギー研究センターの高性能計算機システムHeliosを利用した国内シミュレーション研究プロジェクトの進展

石澤 明宏*; 井戸村 泰宏; 今寺 賢志*; 糟谷 直宏*; 菅野 龍太郎*; 佐竹 真介*; 龍野 智哉*; 仲田 資季*; 沼波 政倫*; 前山 伸也*; et al.

プラズマ・核融合学会誌, 92(3), p.157 - 210, 2016/03

幅広いアプローチ協定に基づいて国際核融合エネルギー研究センター(IFERC)の計算機シミュレーションセンター(CSC)に設置された高性能計算機システムHeliosは、2012年1月に運用を開始し、日欧の磁気核融合シミュレーション研究に供用され、高い利用率の実績を示すとともに、炉心プラズマ物理から炉材料・炉工学にわたる広い分野で多くの研究成果に貢献している。本プロジェクトレビューの目的は、国内の大学や研究機関においてHeliosを利用して進められているシミュレーション研究プロジェクトとその成果を一望するとともに、今後予想される研究の進展を紹介することである。はじめにIFERC-CSCの概要を示した後、各研究プロジェクト毎にその目的、用いられる計算手法、これまでの研究成果、そして今後必要とされる計算を紹介する。

論文

Degradation of charge collection efficiency for 6H-SiC diodes by electron irradiation

岩本 直也; 小野田 忍; 菱木 繁臣; 大島 武; 村上 允*; 中野 逸夫*; 河野 勝泰*

Materials Science Forum, 600-603(Part 2), p.1043 - 1046, 2009/00

炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた耐放射線性の粒子検出器の開発の一環として、SiCエピ膜上に作製したn$$^{+}$$pダイオードの電荷収集効率(CCE)の電子線照射による低下を調べた。室温にてエネルギー1MeVの電子線を最大6$$times$$10$$^{16}$$/cm$$^{2}$$照射した。CCEの評価は酸素15MeVマイクロビームを用いたイオン誘起過渡電流(TIBIC)評価により行った。評価の結果、電子線未照射試料では93%という非常に高いCCEを観測し、1$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{2}$$の電子線照射後もCCEの低下は観測されなかった。しかし、それ以上の線量ではCCEの低下が観測され、5$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{2}$$の電子線照射によりCCEは約65%となった。ダイオードへ印加する逆方向電圧とCCEの関係を解析することでダイオード中の少数キャリア(電子)の拡散長を見積もったところ、未照射では2.5$$mu$$mであった拡散長が電子線照射により徐々に低下し、その結果としてCCEが低下することが判明した。

論文

Charge collection properties of 6H-SiC diodes by wide variety of charged particles up to several hundreds MeV

小野田 忍; 岩本 直也; 村上 允; 大島 武; 平尾 敏雄; 児島 一聡*; 河野 勝泰*; 中野 逸夫*

Materials Science Forum, 615-617, p.861 - 864, 2009/00

耐放射線性の粒子検出器としての利用が期待できる炭化珪素(SiC)ダイオードの性能を示すため、さまざまな荷電粒子を照射し、電荷収集効率(CCE; Charge Collection Efficiency)を評価した。荷電粒子として、RIから放出される$$alpha$$粒子,$$beta$$線及び、加速器からの重荷電粒子を利用した。低エネルギー(数MeV)の軽粒子及び高エネルギー(数百MeV)の重粒子の飛程が数十$$mu$$mあることから、感受層であるエピタキシャル層の厚さが77$$mu$$m及び96$$mu$$mのダイオードを作製し、電荷収集量を評価した。実験の結果、従来報告例のある5.5MeVの$$alpha$$粒子だけでなく、56MeVのN(窒素),75MeVのNe(ネオン),150MeVのAr(アルゴン),322MeVのKr(クリプトン)イオンのエネルギースペクトルを測定することができた。

論文

Charge collection efficiency of 6H-SiC diodes damaged by electron irradiation

岩本 直也; 大島 武; 小野田 忍; 菱木 繁臣*; 村上 允; 中野 逸夫*; 河野 勝泰*

Proceedings of the 26th Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology Hosei University, p.27 - 30, 2007/12

SiCダイオードは、高い耐放射線性を有する粒子検出器として有望視されている。検出器の実用化には、粒子検出特性の放射線による影響を明らかにすることが重要であることから、本研究では、電子線照射により6H-SiC n$$^+$$pダイオードに放射線損傷を導入し、重粒子の入射に対する電荷収集効率(CCE; Charge Collection Efficiency)を評価した。電子線照射前のCCEの飽和値は93$$%$$であり、電子線のフルエンスが1$$times$$10$$^{15}$$cm$$^{-2}$$以下では、変化は見られなかった。一方、フルエンスが1$$times$$10$$^{15}$$cm$$^{-2}$$以上ではCCEの低下が観測された。特に6$$times$$10$$^{15}$$cm$$^{-2}$$ではCCEは高バイアス領域において飽和しなかった。これらピーク値及びCCEの低下は、電子線照射によりダイオード中に再結合中心となる欠陥の密度が増大し、生成された電荷の寿命が収集時間よりも短くなったためと考えられる。電子線照射によってSiCダイオードの電荷収集効率に放射線劣化が見られるものの、依然として入射粒子の検出が可能であることが判明した。

論文

Diffuse neutron scattering from AgBr; Application to Rietveld refinements

佐久間 隆昭*; 中村 好夫*; 広田 雅樹*; 村上 明宏*; 石井 慶信

Solid State Ionics, 127(3-4), p.295 - 300, 2000/01

 被引用回数:8 パーセンタイル:44.62(Chemistry, Physical)

AgBrは超イオン伝導体であり、熱振動振幅が非常に大きい物質である。この物質の回折パターンをリートベルト解析を行う場合には、原子の熱振動に由来する散漫散乱を考慮してリファイメントする必要がある。本論文は、この散漫散乱を理論的に考察し、散漫散乱を回折パターンの記述に必要な一つの関数であるバックグラウンド関数に繰り込んで、実験値と比較、検討した結果を報告したものである。実験はJRR-3Mに設置されたTAS-2中性子散乱装置を用いて行った。測定温度は、散漫散乱が無視できる温度、7Kと散漫散乱が優位に現れる290Kの二つの温度である。散漫散乱を積極的に取り入れて、測定データをリートベルト解析をした結果、測定データを精密にリファイメントでき、この手法により、結晶構造を記述する各種係数を正確に決定できることがわかった。超イオン伝導体など原子振動の大きい物質について、回折測定結果をリートベルト解析するには、散漫散乱を十分考慮して解析する必要がある。以上、中性子散乱実験結果の解析手段の向上及び超イオン伝導体に関する新たな知見を得たので報告する。

論文

Scattering intensity from crystalline and non-crystalline materials including correlations of thermal displacements of atoms

佐久間 隆*; 中村 義男*; 村上 明宏*; 高橋 東之*; 石井 慶信

High Temp. Mater. Process., 18(1-2), p.41 - 48, 1999/00

非晶質Pd$$_{80}$$Si$$_{20}$$のX線散乱強度の温度依存性及び非晶質Siの散乱強度を中性子散乱により測定した。またCuI粉末の中性子散乱測定も行った。これらの測定から、波状の散漫散乱強度が観測された。この波状な散乱強度は構成原子であるCuとIの変位に基づくものであると考えており、理論計算とも良く一致する。さらに、この理論が結晶や非晶質にも適応するように一般化を試みた。

口頭

Magnetic ordering process in the charge-frustrated ferroelectric system LuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$

加倉井 和久; 池田 直*; 永井 聡*; 松田 雅昌; 石井 慶信; 大和田 謙二; 稲見 俊哉; 吉井 賢資; 村上 洋一*; 鬼頭 聖*; et al.

no journal, , 

電荷秩序したLuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$における異常磁気秩序過程が改3号炉に設置されたTAS-1及びTAS-2を使用した中性子散乱実験により明らかにされたので、報告する。(1)LuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$では鉄イオンが六方称の二重層を構成する。鉄イオンが三角格子の配列を持つにもかかわらず、フェリ磁性的な成分を持つ強い2次元的反強磁性相関が存在し、T$$_{N}$$=242K以下で3次元秩序を起こす。(2)さらにT$$_{f}$$=177Kで層間の秩序が崩れ、新しいスピン凍結状態を示唆する磁気散乱が観測される。T$$_{f}$$における磁気秩序変化は顕著なヒステレジスを示すことが明らかにされた。この系において観測された磁気相関と電荷又は軌道自由度との関係を議論する。

口頭

電気分極を示す電荷・スピンフラストレート積層三角格子物質LuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$の中性子散乱研究

加倉井 和久; 池田 直*; 永井 聡*; 松田 雅昌; 石井 慶信; 大和田 謙二; 稲見 俊哉; 吉井 賢資; 村上 洋一*; 鬼頭 聖*; et al.

no journal, , 

電荷秩序したLuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$における異常磁気秩序過程が改3号炉に設置されたTAS-1及びTAS-2を使用した中性子散乱実験により明らかにされたので、報告する。この物質では鉄イオンが六方称の二重層を構成する。鉄イオンが三角格子の配列を持つにもかかわらず、フェリ磁性的な成分を持つ強い2次元的反強磁性相関が存在し、T$$_{N}$$=242K以下で3次元秩序を起こす。さらにT$$_{f}$$=177Kで層間の秩序が崩れ、新しいスピン凍結状態を示唆する磁気散乱が観測される。T$$_{f}$$における磁気秩序変化は顕著なヒステレジスを示すことが明らかにされた。またc-軸方向に磁場をかけると、T$$_{f}$$が低温に変化し、3T以上の磁場ではこの異常が消失することが観測された。

口頭

磁場中に於ける積層三角格子物質LuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$の磁気秩序過程

加倉井 和久; 池田 直*; 永井 聡*; 松田 雅昌; 石井 慶信; 大和田 謙二; 稲見 俊哉; 吉井 賢資; 村上 洋一*; 鬼頭 聖*; et al.

no journal, , 

電荷秩序したLuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$における異常磁気秩序過程の磁場依存性が中性子散乱実験により明らかにされた。この物質では鉄イオンが六方称の二重層を構成する。鉄イオンが三角格子の配列を持つにもかかわらず、フェリ磁性的な成分を持つ強い2次元的反強磁性相関が存在し、T$$_{N}$$=242K以下で3次元秩序を起こす。さらにT$$_{f}$$=177Kで層間の秩序が崩れ、新しいスピン凍結状態を示唆する磁気散乱が観測される。c-軸方向に磁場をかけると、T$$_{f}$$が低温に変化し、3T以上の磁場ではこの異常が消失することが観測された。磁化測定の結果と対応させてこの現象を議論する。

口頭

積層三角格子物質LuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$の磁気秩序過程

加倉井 和久; 池田 直*; 永井 聡*; 松田 雅昌; 石井 慶信; 大和田 謙二; 稲見 俊哉; 吉井 賢資; 村上 洋一*; 鬼頭 聖*; et al.

no journal, , 

フラストレートした電荷系LuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$における異常磁気秩序過程の詳細を中性子散乱実験により明らかにしたので報告する。この物質では鉄イオンが六方称の二重層を構成する。鉄イオンが三角格子の配列を持つにもかかわらず、フェリ磁性的な成分を持つ強い2次元的反強磁性相関が存在し、T$$_{N}$$=242K以下で3次元秩序を起こす。さらにT$$_{f}$$=177Kで層間の秩序が崩れ、新しいスピン凍結状態を示唆する磁気散乱が観測される。T$$_{f}$$における磁気秩序変化は顕著なヒステレシスを示すことが明らかにされた。またc-軸方向に磁場をかけると、T$$_{f}$$が低温に変化し、3T以上の磁場ではこの異常が消失することが観測された。この系において観測された磁気相関と電荷又は軌道自由度との関係を議論する。

口頭

電子線照射された6H-SiC PNダイオードの電荷収集効率

岩本 直也; 小野田 忍; 菱木 繁臣; 大島 武; 村上 允*; 中野 逸夫*; 河野 勝泰*

no journal, , 

粒子加速器の大強度化が進む高エネルギー物理学において、炭化ケイ素(SiC)は優れた耐放射線性を有する粒子検出器の材料として期待されている。粒子検出器は放射線環境下で使用されることから、放射線照射による検出器の特性劣化を調べることが重要となる。そこで本研究では、電子線照射により損傷を与えたダイオードへ15MeV酸素イオンを入射し電荷収集効率(CCE:Charge Collection Efficiency)を評価した。電子線照射前のCCEは約94%であり、フルエンスが1$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^2$$までCCEは一定であった。CCEを計算する際、金属電極やn$$^+$$層でのエネルギー減衰を考慮していないため、実験で得られた94%という値は、p層で発生したほぼすべての電荷を収集していると言える。一方、フルエンスが5$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^2$$では、CCEは約88%、1$$times$$10$$^{16}$$/cm$$^2$$では約85%に低下することが観測され、電子線の照射量の増加とともに結晶欠陥が導入され、CCEが低下していくことが見いだされた。

口頭

Magnetic ordering process in the charge frustrated ferroelectric LuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$

加倉井 和久; 池田 直*; 永井 聡*; 松田 雅昌; 石井 慶信*; 大和田 謙二; 稲見 俊哉; 吉井 賢資; 村上 洋一*; 鬼頭 聖*; et al.

no journal, , 

最近磁気秩序と強誘電性が強い相関を示すMultiferroics系物質の研究が盛んになってきた。LuFe$$_{2}$$O$$_{4}$$も磁気秩序と強誘電性が結合している系として注目を浴びている。今回この磁気秩序過程の磁場依存性を磁場中中性子回折及び磁化測定により検証したので報告する。ゼロ磁場中のc-軸方向に有限なスピン相関を示す低温スピン凍結状態が磁場により抑圧されることを示唆する結果を得た。

口頭

6H-SiC n$$^{+}$$pダイオードの電荷収集効率における電子線照射の影響

岩本 直也; 大島 武; 小野田 忍; 菱木 繁臣*; 村上 允

no journal, , 

炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた粒子検出器開発の一環として、六方晶(6H)-SiCエピタキシャル基板上にn$$^{+}$$pダイオードを作製した。作製した6H-SiC n$$^{+}$$pダイオードに1MeV電子線を照射することで損傷を導入し、その後、酸素マイクロイオンビームを用いたイオンビーム誘起過渡電流(TIBIC)評価により電荷収集効率(CCE)の変化を調べた。その結果、1$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{2}$$までの電子線照射ではCCEに変化は見られないが、それより照射量が多くなるとCCEが減少し、6$$times$$10$$^{16}$$/cm$$^{2}$$照射後には68%まで低下することが見いだされた。また、収集電荷量のダイオードへの印加電圧依存性から少数キャリアである電子の拡散長の変化を見積もったところ、未照射では2$$mu$$m以上であったものが1$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{2}$$照射後には0.6$$mu$$mまで減少することが判明した。

口頭

分離・変換技術の廃棄物処理・処分への適用; 先進的核燃料サイクルの総合的な性能評価の試み,5; 高速炉サイクルを対象とした検討

渡部 創; 佐々 敏信; 大和田 仁*; 斉藤 拓巳*; 石尾 貴宏*; 村上 毅*; 島田 隆*

no journal, , 

「放射性廃棄物の処理・処分と分離・変換技術」研究専門委員会では、分離・変換技術を含む先進的な核燃料サイクルについて調査し、二次廃棄物も含めた各種廃棄物の処理・処分に及ぼす影響を定量的,総合的に検討・評価するために、先進的核燃料サイクルの総合的な性能評価を実施している。本発表では、先進的核燃料サイクルの総合的な性能評価の一部として実施している「高速炉サイクル」を対象とした検討の現状について述べる。

口頭

分離・変換技術の廃棄物処理・処分への適用; 先進的核燃料サイクルの総合的な性能評価,4; 高速炉サイクルを対象とした評価

渡部 創; 佐々 敏信; 大和田 仁*; 斉藤 拓巳*; 石尾 貴宏*; 村上 毅*; 島田 隆*

no journal, , 

「放射性廃棄物の処理・処分と分離・変換技術」研究専門委員会では技術-特性マトリクスを用いた核燃料サイクル間の相対評価を実施している。本発表では先進的核燃料サイクルの総合的な性能評価の一部として実施している「高速炉サイクル」を対象とした評価結果について述べる。

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