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Charge collection efficiency of 6H-SiC diodes damaged by electron irradiation

電子線照射により損傷を導入した6H-SiCダイオードの電荷収集効率

岩本 直也; 大島 武; 小野田 忍; 菱木 繁臣*; 村上 允; 中野 逸夫*; 河野 勝泰*

Iwamoto, Naoya; Oshima, Takeshi; Onoda, Shinobu; Hishiki, Shigeomi*; Murakami, Makoto; Nakano, Itsuo*; Kawano, Katsuyasu*

SiCダイオードは、高い耐放射線性を有する粒子検出器として有望視されている。検出器の実用化には、粒子検出特性の放射線による影響を明らかにすることが重要であることから、本研究では、電子線照射により6H-SiC n$$^+$$pダイオードに放射線損傷を導入し、重粒子の入射に対する電荷収集効率(CCE; Charge Collection Efficiency)を評価した。電子線照射前のCCEの飽和値は93$$%$$であり、電子線のフルエンスが1$$times$$10$$^{15}$$cm$$^{-2}$$以下では、変化は見られなかった。一方、フルエンスが1$$times$$10$$^{15}$$cm$$^{-2}$$以上ではCCEの低下が観測された。特に6$$times$$10$$^{15}$$cm$$^{-2}$$ではCCEは高バイアス領域において飽和しなかった。これらピーク値及びCCEの低下は、電子線照射によりダイオード中に再結合中心となる欠陥の密度が増大し、生成された電荷の寿命が収集時間よりも短くなったためと考えられる。電子線照射によってSiCダイオードの電荷収集効率に放射線劣化が見られるものの、依然として入射粒子の検出が可能であることが判明した。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Proceedings of the 26th Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology Hosei University

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.27 - 30

発行年月

 :

2007/12

発表会議名

 :

第26回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム

開催年月

 :

2007/12

開催都市

 :

小金井

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
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Access

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