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岡根 哲夫; 山田 みつき*; 鈴木 章二*; 佐藤 繁*; 木下 豊彦*; 柿崎 明人*; 石井 武比古*; 小林 峰*; Shimoda, S.*; Iwaki, M.*; et al.
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 80, p.241 - 244, 1996/05
被引用回数：4 パーセンタイル：26.09(Spectroscopy)ニッケル及び銅の単結晶表面にセリウムを蒸着した系の電子状態を、X線光電子分光並びにシンクロトロン放射を利用した真空紫外光電子分光により調べた。この系では界面において原子の拡散が起こる結果、希土類金属-遷移金属合金から成る表面相が形成されることを確認した。そこで、構成原子の試料表面から深さ方向についての分布を調べるために中エネルギーイオン散乱実験も行った。実験の結果、ニッケル表面上にセリウムを蒸着した系では、セリウム4f準位と伝導電子帯の間の混成強度が表面層におけるセリウム濃度と強い相関関係を有していることを見出した。一方銅の表面にセリウムを蒸着した系においては、この混成強度が表面層でのセリウム濃度にほとんど依存しないことが解った。
and SiF
ions (5-200eV) on Cu(100) surface山本 博之; 馬場 祐治; 佐々木 貞吉
Applied Surface Science, 100-101, p.333 - 337, 1996/00
被引用回数：9 パーセンタイル：49.88(Chemistry, Physical)3eV~の極低エネルギーイオン照射を可能とした装置を試作し、散乱イオン測定への応用を試みた。SiF、N
等の分子イオンを、質量分離の後、3~100eVでCu(III)に対して照射した。これらの散乱イオンについて、45
Cのセクタ型エネルギー分析器を備えた四重極質量分析計を用いて、散乱イオン強度、質量およびエネルギーを測定した。この結果、SiFを照射した場合では、照射エネルギーの増加に伴って散乱SiFの強度が減衰し、50eVでほぼ消滅する。一方、表面で解離したSiFが35eVで現われ、エネルギーの増加とともに強度が増大する。以上の結果から、照射に伴うSi-Fの解離のしきいエネルギーが35eVであることが明らかとなった。
200eV) SiF、SiFイオンのCu(100)表面における散乱山本 博之; 馬場 祐治; 佐々木 貞吉
表面科学, 17(8), p.436 - 439, 1996/00
試作した低エネルギーイオン照射装置を用い、5~200eVのSiF、SiF分子イオンをCu(100)表面に照射し、散乱した各イオン(散乱角77°)の質量およびエネルギー分布を同時に測定することによって、散乱過程および照射された分子イオンの散乱に伴う解離のしきい値を明らかにした。この結果、SiF、SiF分子イオンの散乱に伴う解離のしきい値はそれぞれ30
2eV、402eVであった。これらの値についてimpulsive collision modelを用いた解析を行った結果、分子イオンの解離が振動励起を介していることが示唆された。
