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論文

Inner shell excitation and dissociation of condensed formamide

池浦 広美*; 関口 哲弘; 北島 義典*; 馬場 祐治

Applied Surface Science, 169-170, p.282 - 286, 2001/01

https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00671-1
 被引用回数：8 パーセンタイル：44.87(Chemistry, Physical)

低温(96K)基板上に凝縮させたホルムアミド分子について炭素及び窒素内殻励起とそれに伴う解離過程を全電子収量-X線吸収微細構造(NEXAFS)法, 全イオン収量法, H+光刺激脱離法により調べた。C1s, N1sから$$sigma$$*(C-H), $$sigma$$*(N-H)への電子遷移によりそれぞれ C-H, N-H官能基から選択的解離によりH+生成量が増加した。このことは相当する空分子軌道がC-HやN-H上に反結合性をもつことを示している。また、凝集層の配向性を調べるためNEXAFSの入射角度依存性を測定した。吸着分子のCNO平面は表面平行より平均約42度傾いていることが決定された。

論文

Desorption of fragment ions from condensed Si(OCH$$_{3}$$)$$_{4}$$ by localized inner-shell electron excitation at the silicon, oxygen and carbon K-edges

馬場 祐治; 関口 哲弘

Journal of Vacuum Science and Technology A, 18(2), p.334 - 337, 2000/03

https://doi.org/10.1116/1.582251
 被引用回数：4 パーセンタイル：22.94(Materials Science, Coatings & Films)

SiO$$_{2}$$薄膜生成の原料物質として使われているシリコンアルコキシド(Si(OR)$$_{4}$$)について、放射光軟X線を照射した時の光分解挙動を調べた。低温でSi(100)表面に多層吸着したテトラメトキシシラン(Si(OCH$$_{3}$$)$$_{4}$$)にSi K-吸収端領域の軟X線を照射した時の脱離イオンは主としてSi(OCH$$_{3}$$)$$_{n}^{+}$$(n=2, 3, 4)であった。一方、CK-吸収端及びOK-吸収端領域の軟X線照射を照射した時の脱離種は、ほとんどがCH$$_{3}^{+}$$であった。これは内殻励起状態がC及びO原子に局在したまま結合解裂が起きていることを示しており、C-O結合の選択的切断によりSiO$$_{2}$$層が形成できる可能性を示唆する結果が得られた。

論文

Desorption of molecular and atomic fragment-ions from solid CCl$$_{4}$$ and SiCl$$_{4}$$ by resonant photoexcitation at chlorine K-edge

馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉

Surface Science, 376(1-3), p.330 - 338, 1997/00

https://doi.org/10.1016/S0039-6028(96)01315-5
 被引用回数：25 パーセンタイル：78.47(Chemistry, Physical)

分子の内殻軌道電子を光励起した時の化学反応機構を調べる目的で、固相の四塩化炭素(CCl$$_{4}$$)及びテトラクロロシラン(SiCl$$_{4}$$)にCl1s領域の放射光(2810~2850eV)を照射した時の脱離イオンとオージェ電子スペクトルを測定した。比較的軽い原子イオン(Cl$$^{+}$$)の脱離は、スペクテータ型のオージェ遷移が起こるCl1s$$rightarrow$$$$sigma$$$$^{ast}$$(h$$nu$$~2824eV)共鳴励起によってのみ起こる。これは反結合性$$sigma$$$$^{ast}$$軌道に留まった電子(スペクテータ電子)の効果により、速い結合切断が起こるためと考えられる。一方、重い分子イオン(CCl$$_{3+}$$、SiCl$$^{+}$$)の脱離収率は、オージェ遷移の如何にかかわらず、X線の吸収量に比例する。これは分子種の脱離速度が遅いため、スペクテータ電子がイオンの脱離前に非局在化してしまうことで説明できる。

論文

白金単結晶表面に吸着した希ガス(Ar,Kr)の電子衝撃脱離

馬場 祐治; G.Dujardin*; P.Feulner*; D.Menzel*

表面科学, 13(5), p.244 - 248, 1992/07

https://doi.org/10.1380/jsssj.13.5_244

白金(111)単結晶表面に吸着したアルゴン及びクリプトンに関し、電子衝撃による正イオンの脱離挙動を10~120eVのエネルギー範囲で調べた。Ar$$^{2+}$$の脱離が起こるための照射エネルギー閾値は83eVであり、これはAr$$^{3+}$$の生成及びそれに伴うAr$$^{3+}$$ArからAr$$^{2+A}$$r$$^{+}$$又はAr$$^{2+ast}$$Ar$$^{+}$$への遷移による隣接イオンのクーロン反発力により説明できる。一方、Ar$$^{+}$$及びAr$$_{2+}$$の脱離は24.2,25.4,34及び50eVに閾値が認められた。最初の2つの閾値は、それぞれ、表面及びバルクのエキシトン(励起子)対の生成に対応する。脱離のエネルギー閾値及び脱離強度の吸着層依存性の解析により、エキシトン対生成による脱離の機構について議論した。

論文

Formation and dynamics of exciton pairs in solid argon probed by electron-stimulated ion desorption

馬場 祐治; G.Dujardin*; P.Feulner*; D.Menzel*

Physical Review Letters, 66(25), p.3269 - 3272, 1991/06

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.66.3269
 被引用回数：24 パーセンタイル：78.24(Physics, Multidisciplinary)

固体アルゴン及びクリプトンからのAr$$^{+}$$、Ar$$_{2+}$$、Ar$$^{2+}$$及びKr$$^{+}$$イオンの電子衝撃脱離(ESD)挙動を10~120eVの照射エネルギー範囲で調べた。脱離に必要な照射エネルギーのしきい値は、Ar$$^{+}$$及びAr$$_{2+}$$で24.2eV、Kr$$^{+}$$で30eVであった。またAr$$^{2+}$$はAr$$^{3+}$$の生成に対応する84eVにおいて初めて脱離する。Ar$$_{2+}$$の脱離では、24.2eV、25.4eV、34eV、50eVに共鳴構造が認められた。前者2つの構造は、表面及びバルクに存在する隣接する2原子のエキシトン生成に対応する。25.4eVの脱離ピーク強度の厚み依存性を調べたところ、バルクのエキシトン対の拡散は、100層以上にも及ぶことが明らかとなった。

報告書

Data Compilation for Particle Impact Desorption

押山 孝*; 永井 士郎; 小沢 国夫; 竹内 富士雄*

JAERI-M 84-094, 174 Pages, 1984/05

JAERI-M-84-094.pdf:2.41MB

電子・イオン及びフォトン衝撃による固体表面からの気体の脱着は核融合炉におけるプラズマ壁相互作用の重要な素過程の一つであり、種々の気体/固体表面の組合せに関するデータ収集が要請されている。本報告は上記脱着に関する1961年~1983年まで交換された文献を調査して、脱着断面積及び脱着収率については、入射電子エネルギー、固体表面温度及びガスの種類の関数として、グラフおよび数値表としてまとめてある。イオン及びフォトン衝撃による脱着に関する文献は付録として巻末に収録した。

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