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磯谷 順一*; 大島 武; 大井 暁彦; 森下 憲雄; 伊藤 久義
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 206, p.965 - 968, 2003/05
被引用回数：8 パーセンタイル：50.24(Instruments & Instrumentation)イオン注入により炭化ケイ素(SiC)半導体に導入したリン(P)ドナー不純物の電気的活性化に伴うP原子の格子間位置への置換や注入欠陥除去などの微視的構造変化を明らかにするため、9
21MeV(9段階)または340keVのエネルギーでP注入を行ったn型六方晶SiC(6H-SiC)のESR測定を実施した。P注入は室温、800
または1200で行い、注入後にアルゴン中で最高温度1650まで熱処理を行った。注入後熱処理を行うことでP原子がSiC格子点に配置してドナーとなり、ドナー電子と
Pの超微細相互作用により2本に分裂したESRスペクトルが出現することを見出した。現在、スペクトル解析によりPドナーの構造対称性や電子スピン状態の検討を進めている。本会議ではPドナーの微視的構造の解析結果に加え、照射欠陥のアニール挙動についても報告する。
symmetry in 
-type 4H-SiC水落 憲和*; 山崎 聡*; 瀧澤 春喜; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義; 磯谷 順一*
Physical Review B, 66(23), p.235202_1 - 235202_12, 2002/12
被引用回数：108 パーセンタイル：95.03(Materials Science, Multidisciplinary)SiC中の固有欠陥の構造を明らかにするために電子線照射したn型4H-SiCの空孔型欠陥をEPR(electron paramagnetic resonance)により調べた。本研究では、S=1と報告されているT
センターについて詳細に調べた。パルスEPRのニューテーション法を用いて測定を行ったところS=1ではなくS=3/2であることが明らかになった。
Cの超微細相互作用の解析より、このセンターがシリコン単一空孔に由来することが決定された。また、このセンターは負に帯電し、C対称(C軸方向の炭素と他の3個の炭素とが等価でない歪みを有する)であることも見出された。
水落 憲和*; 磯谷 順一*; 山崎 聡*; 瀧澤 春喜; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義
Materials Science Forum, 389-393, p.497 - 500, 2002/00
被引用回数：3 パーセンタイル：16.1(Materials Science, Multidisciplinary)室温で3MeV電子線を照射(4
10
e/cm
)したn型4H-及びp型6H-SiC半導体中の欠陥を電子常磁性共鳴法(EPR)を用いて分析した。試料への光照射を行うことで、近接原子との超微細相互作用に起因するTシグナルを新たに見出した。超微細構造の強度及び対称性を解析した結果、このシグナルはシリコン単一空孔に関連した欠陥であることが判明した。
