Continuous-wave and pulsed EPR study of the negatively charged silicon vacancy with S=3/2 and C symmetry in -type 4H-SiC

連続波及びパルスEPRによるn型4H-SiC中のS=3/2及びC対称をもつ負に帯電したシリコン空孔の研究

水落 憲和*; 山崎 聡*; 瀧澤 春喜; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義; 磯谷 順一*

Mizuochi, Norikazu*; Yamasaki, Satoshi*; Takizawa, Haruki; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Isoya, Junichi*

SiC中の固有欠陥の構造を明らかにするために電子線照射したn型4H-SiCの空孔型欠陥をEPR(electron paramagnetic resonance)により調べた。本研究では、S=1と報告されているTセンターについて詳細に調べた。パルスEPRのニューテーション法を用いて測定を行ったところS=1ではなくS=3/2であることが明らかになった。Cの超微細相互作用の解析より、このセンターがシリコン単一空孔に由来することが決定された。また、このセンターは負に帯電し、C対称(C軸方向の炭素と他の3個の炭素とが等価でない歪みを有する)であることも見出された。

EPR study was performed to understand vacancy-type defects in electron-irradiated 4H-SiC. In this study, the T center which was reported to be S=1 was charactrized. As a result of untation method of EPR technique, it was revealed that the multipicity of the center is not triplet (S=1) but quartet (S=3/2). From the analysis of C hyperfine interactions of nearest-neighbors, the canter was determined to be single silicon vacancy. In addition, it was found that the center is negativly charged silicon vacancy with C symmetry.