EPR study of single silicon vacancy-related defects in 4H- and 6H-SiC

EPRによる4H-及び6H-SiC中のシリコン単一空孔関連欠陥の研究

水落 憲和*; 磯谷 順一*; 山崎 聡*; 瀧澤 春喜; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義

Mizuochi, Norikazu*; Isoya, Junichi*; Yamasaki, Satoshi*; Takizawa, Haruki; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi

室温で3MeV電子線を照射(410e/cm)したn型4H-及びp型6H-SiC半導体中の欠陥を電子常磁性共鳴法(EPR)を用いて分析した。試料への光照射を行うことで、近接原子との超微細相互作用に起因するTシグナルを新たに見出した。超微細構造の強度及び対称性を解析した結果、このシグナルはシリコン単一空孔に関連した欠陥であることが判明した。

The spin triplet (S=1) single silicon vacancy relared defects in electron irradiated (3MeV 410 e/cm, room temperature) n-type 4H- and p-type 6H-SiC were studied by electron paramagnetic resonance (EPR) spectroscopy. By laser irradiation, the hyperfine couplings (HFC) with nearest-neighbor (NN) atoms of T were observed. As a result of detailed analysis, T was unambiguously assigned to be the single silicon vacancy.