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論文

High energy Ni ion implantation and thermal annealing for -SiC single crystal

嶋谷成俊*; 川面澄*; 荒井重義*; 塩野豪司*; 堀野裕治*; 杢野由明*; 藤井兼栄*; 竹下英文; 山本春也; 青木康; et al.

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 91, p.529 - 533, 1994/00

https://doi.org/10.1016/0168-583X(94)96280-4

被引用回数：3 パーセンタイル：43.12(Instruments & Instrumentation)

高エネルギー $^{56}$ Ni $^{+}$ イオン(1MeV)を(0001)-SiC結晶に注入後、各熱処理温度での注入Ni原子の分布変化及び母体結晶格子の熱回復挙動を、 $^{4}$ HeによるRBS-チャネリング法によって調べた。その結果、非晶質化した注入層は、1500 $^{circ}$ Cから再結晶化が進行するとともに、注入元素のNiの分布がガウス型から、均一型へと変化する事を見い出した。

論文

PIXE and RBS study of radiation-induced segregation in single crystal austenitic stainless steel SUS 304

川面澄*; 中江隆則*; 嶋谷成俊*; 前田耕治*; 荒井重義*; 三田村徹*; 寺沢倫孝*; 岩崎源*; 内田等*; 小寺沢啓司*; et al.

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 75, p.367 - 370, 1993/00

https://doi.org/10.1016/0168-583X(93)95677-W

照射誘起偏析を解析するためタンデム加速器から得られた140MeVのNiイオンを単結晶のステンレス鋼(オーステナイト系SUS304)に照射した。その試料を1.8MeVの $^{4}$ HeイオンによりPIXE及びRBS法により解析した。その結果、照射効果と熱的アニーリング効果との違いを明らかにした。

口頭

炭素系薄膜材料の軽元素分布解析

堀野裕治*; 杢野由明*; 茶谷原昭義*; 安井治之*; 粟津薫*; 鳴海一雅; 楢本洋; 山本春也

no journal, ,

$^{15}$ Nと水素との共鳴核反応法 $^{15}$ N(p, ) $^{12}$ Cを利用して、2keV H $^{+}$ を注入したSi,多結晶ダイヤモンド,単結晶ダイヤモンド(Ib型)中の水素分布測定を行った。分析チェンバーを改良し、真空度を2桁近くよくしたところ、試料表面の吸着物に由来する水素によるピーク幅が、改良前に比べて約1/2になった。2keV H $^{+}$ を510 $^{15}$ ions/cm $^{2}$ 注入したSiの場合、表面吸着物由来の水素と注入水素の分布が明瞭に区別され、注入水素の分布のピークはTRIMコードで計算した飛程44nmとほぼ一致した。多結晶ダイヤモンドの場合、内部の水素量は約0.2at%であるが、ダイヤモンド単結晶の場合、表面吸着物由来のピーク以外は、S/N比による測定限界以下であった。