Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
岩瀬 彰宏; L.E.Rehn*; P.M.Baldo*; L.Funk*
Journal of Nuclear Materials, 271-272, p.321 - 325, 1999/00
被引用回数：1 パーセンタイル：13.12(Materials Science, Multidisciplinary)15MeVのHeイオンと100~400keVのHeイオンとを同時照射したCu-Au,Ni-Si合金の照射誘起析出を、RBS法により測定した。15MeV Heイオンのみを照射した場合に大きく現れる表面への照射誘起析出は、低エネルギーHeイオンを同時照射した時、抑制される。以上の実験結果をもとに、Freely Migrating Defects生成におけるHe原子の効果について議論する。
岩瀬 彰宏; L.E.Rehn*; P.M.Baldo*; L.Funk*
Ion-Solid Interactions for Materials Modefication and Processing (Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 396), 0, p.179 - 184, 1996/00
自由拡散欠陥(FMD)の生成率におけるカスケード損傷の効果を、1.5MeVのHeと400-800keVの重イオンの同時照射下でのRBS測定により調べた。試料はCu-1%Auである。Heのみを照射した時にみられる照射誘起析出は、重イオンを同時照射することによって大きく減少する。これは重イオンによって生成されたカスケード損傷が、FMDに対して有効なシンクとして作用したことを示す。銅イオンを照射した時は、照射誘起析出は同時照射中にのみ減少するのに対して、希ガスイオン(Ne、Ar)のHeとの同時照射の実験では、その効果は希ガスイオン照射を止めた後にも残る。これは、試料中に蓄積されたガス原子がカスケード損傷を安定化させたために生じたものである。
岩瀬 彰宏; L.E.Rehn*; P.M.Baldo*; L.Funk*
Applied Physics Letters, 67(2), p.229 - 231, 1995/07
被引用回数：12 パーセンタイル：55.57(Physics, Applied)自由拡散原子(FMD)とカスケード損傷との相互作用を調べるために、1.5MeVのHeと800keVのCuを同時照射したCu-1%Au合金において、RBS法により照射誘起析出を測定した。Heイオンだけを照射した場合、照射誘起析出は、Auの表面から内部への拡散として大きく観測される。一方Cuイオンを同時照射した時、この照射誘起析出はほとんど起こらなくなる。またCuイオン照射を止めると、析出は再び大きく起こり出す。この実験事実は、熱的に不安定で、照射中にのみ存在するカスケード損傷がFMDに対する対消滅サイトとして働き、FMDの生成効率を大きく減少させたことを示すものである。
阿部 弘亨; 木下 智見*; P.R.Okamoto*; L.E.Rehn*
Journal of Nuclear Materials, 212-215, p.298 - 302, 1994/00
Siのイオン照射誘起非晶質化に及ぼす同時電子照射効果について明らかにした。イオン・電子同時照射により、非晶質化は抑制され、抑制のために必要な臨界電子線束密度が求められた。それはイオン照射によるエネルギー付与密度、イオン線束密度、電子エネルギーに依存する。これより、イオン照射誘起非晶質化は、本質的に、イオン照射により生じるカスケードのオーバーラップによって生じることが判明した。さらに、同時電子照射による非晶質化の抑制効果は、カスケードが点欠陥の照射誘起拡散や電子励起によって不安定化することに起因することが明らかになった。
阿部 弘亨; 木下 智見*; P.R.Okamoto*; L.E.Rehn*
Annu. Rep., HVEM LAB., Kyushu Univ., 0(17), p.19 - 20, 1993/00
Siはイオン照射により非晶質化するが、電子照射によっては非晶質化しない。この現象には、カスケード損傷の蓄積と安定性が寄与していると考えられるが明らかではない。本研究では、アルゴンヌ国立研究所のタンデム加速器結合型超高圧電子顕微鏡を用いて、Siのイオン照射誘起非晶質化に及ぼす、同時電子照射効果を明らかにした。イオン・電子同時照射により、照射誘起非晶質化が抑制された。抑制に必要な臨界の電子線束密度を測定した結果、軽イオンほど臨界電子線束密度がイオン線束密度に依存することが判明した。これは照射誘起非晶質化が、カスケード(サブカスケード)のオーバーラップにより進行することを示している。また、サブカスケードは電子同時照射に対して不安定であり、主として点欠陥の照射誘起拡散及び電子励起によって不安定化することが明らかになった。
